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申请/专利权人：桂林电子科技大学
摘要：本发明公开了一种基于非对称结构的全介质Fano共振近红外传感器。该传感器由周期结构构成，每个周期结构中包括二氧化硅衬底1、方框2、纳米柱3和椭圆环4。结构完全由介质材料构成，其中介质层为硅。介质结构中椭圆环和方框关于x轴形成非对称结构。本发明结构简单，制备工艺简易，材料成本低廉，设计的传感器在近红外波段激发了三重Fano共振，Q值分别达到1003.25、628.9、994.3。在改变背景折射率后，Fano共振发生了红移，计算出灵敏度分别高达1395.4nmRIU、1205.2nmRIU、1052.2nmRIU，表现出极为优异的传感性能。本发明由于具有高灵敏度和高品质因子，可以被广泛应用于折射率、生物、气体传感以及医学生化检测。
主权项：1.一种基于非对称结构的全介质Fano共振近红外传感器。该模型采用了一种非对称周期结构，一个周期结构内自下而上依次包括二氧化硅衬底1和硅介质层。在二氧化硅衬底上有一个方框2、一个纳米柱3和一个椭圆环4，其中纳米柱位于衬底中央，椭圆环和方框关于纳米柱对称分布，二者中心距离d＝0.45μm，厚度h1＝h2＝h3＝h4＝0.11μm，而且椭圆环和方框关于x轴形成非对称结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桂林电子科技大学 一种基于非对称结构的全介质Fano共振近红外传感器
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