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申请/专利权人：西安建筑科技大学
摘要：本发明属于压敏材料技术领域，具体的说是一种闪烧制备ZnO压敏电阻的方法，该方法具体包括以下步骤：S1：将多元ZnO陶瓷粉体单轴压制成型；S2：将上述压制成型的样品在马弗炉预烧；S3：将预烧后的样品放置在自组装闪烧炉两个石墨电极片之间，闪烧炉以10℃min的升温速率升高到800℃并保温；在样品两端施加400Vcm电场，在4.5～8.5A限制电流下使其闪烧致密化；S4：闪烧维持90s后关闭输出电源，样品随炉自然冷却后取出，即制得ZnO压敏电阻，本发明得到了闪烧限制电流和闪烧时间对ZnO压敏电阻性能的具体影响，为闪烧制备ZnO压敏电阻提供了有价值的参考依据，有效降低了烧结温度，极大缩短了烧结时间，提高了非线性伏安特性，对高性能压敏电阻的节能生产做出贡献。
主权项：1.一种闪烧制备ZnO压敏电阻的方法，其特征在于：该方法具体包括以下步骤：S1：将多元ZnO陶瓷粉体单轴压制成型；S2：将上述压制成型的样品在马弗炉预烧；S3：将预烧后的样品放置在自组装闪烧炉两个石墨电极片之间，闪烧炉以9～11℃min的升温速率升高到790～810℃并保温；在样品两端施加电场，使其闪烧致密化；S4：闪烧维持88～92s后关闭输出电源，样品随炉自然冷却后取出，即制得ZnO压敏电阻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安建筑科技大学 一种闪烧制备ZnO压敏电阻的方法
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