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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：提供了一种具有高操作可靠性的半导体装置。光电检测装置1包括半导体基板11、光接收部13、倍增部14、第一电极16、第二电极113X和电阻器51。半导体基板11具有彼此面对的第一面11S1和第二面11S2，并且包括其中多个像素P在面内方向上以阵列状布置的像素阵列部100A。光接收部13针对每个像素P设置在半导体基板11内部，并且通过光电转换生成与接收到的光量相对应的载流子。倍增部14针对每个像素P设置在半导体基板11的第一面11S1上，具有第一导电类型区域14Y和第二导电类型区域14X的层叠结构，并且使在光接收部13中生成的载流子雪崩倍增。第一电极16电气联接到倍增部14。第二电极113X电气联接到光接收部13。电阻器51包含多晶半导体材料，并且被设置为在面对第一面11S1的同时与第一电极16接触。
主权项：1.一种光电检测装置，包括：半导体基板，其具有彼此面对的第一面和第二面，并且包括其中多个像素在面内方向上以阵列状布置的像素阵列部；光接收部，其针对每个所述像素设置在所述半导体基板内部，并且通过光电转换生成与接收到的光量相对应的载流子；倍增部，其针对每个所述像素设置在所述半导体基板的所述第一面上，具有第一导电类型区域和第二导电类型区域的层叠结构，并且使在所述光接收部中生成的所述载流子雪崩倍增；第一电极，其电气联接到所述倍增部；第二电极，其电气联接到所述光接收部；和电阻器，其包含多晶半导体材料，并且被设置为在面对所述第一面的同时与所述第一电极接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 光电检测装置和光电检测装置的制造方法
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