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申请/专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
摘要：本申请公开了一种电容的制作方法、电容及电子设备，属于半导体器件技术领域。该方法包括：提供衬底，在衬底的一面制备第一介质层；在第一介质层中朝向远离衬底的方向依次制备叠放的第一极板、牺牲层和第二极板；沿第二极板的周向对第一介质层刻蚀多个通孔，暴露出牺牲层；从通孔去除牺牲层，在第一极板和第二极板之间形成空腔；对空腔进行抽真空，并将通孔封口，得到目标电容。该方法通过对第一介质层沿第二极板的周向刻蚀多个通孔，得到的目标电容在第一介质层中的第一极板和第二极板之间形成真空的耐压空间，具有更高的耐压能力，以及体积小、制造成本较低的优点，且制造过程并不复杂，可操作性强。
主权项：1.一种电容的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底的一面制备第一介质层；在所述第一介质层中朝向远离所述衬底的方向依次制备叠放的第一极板、牺牲层和第二极板；沿所述第二极板的周向对所述第一介质层刻蚀多个通孔，暴露出所述牺牲层；从所述通孔去除所述牺牲层，在所述第一极板和所述第二极板之间形成空腔；对所述空腔进行抽真空，并将所述通孔封口，得到目标电容。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏卓胜微电子股份有限公司 电容的制作方法、电容及电子设备
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