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申请/专利权人：魅杰光电科技(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种用于双面光刻机套刻偏差验证降低掩膜版数量的方法，通过在掩膜版上形成至少一组套刻图形，套刻图形包括第一子图形和与第一子图形呈轴对称的第二子图形；将晶圆放置到与所述掩膜版对应的位置，并使得套刻图形关于晶圆圆心直线呈轴对称；对晶圆的正面进行第一次曝光，并形成第一子图形和第二子图形；以晶圆圆心直线为翻转轴水平翻转晶圆，并对晶圆的反面进行第二次曝光，以形成第一子图形和第二子图形，基于第一子图形和第二子图形验证晶圆的套刻精度。本发明在对双面光刻机进行套刻偏差验证时，能够使用一个掩膜版完成现有的两个掩膜版的功能，解决了现有的验证方法需要使用两个掩膜版对半导体晶圆进行验证增加了生产成本的问题。
主权项：1.一种用于双面光刻机套刻偏差验证降低掩膜版数量的方法，其特征在于，包括：在掩膜版上形成至少一组套刻图形，所述套刻图形包括第一子图形和与所述第一子图形呈轴对称的第二子图形；将晶圆放置到与所述掩膜版对应的位置，并使得所述套刻图形关于晶圆圆心直线呈轴对称，所述晶圆圆心直线为所述晶圆的圆心所在的直线；基于所述掩膜版，对所述晶圆的正面进行第一次曝光，以在所述晶圆的正面形成所述第一子图形和所述第二子图形；以所述晶圆圆心直线为翻转轴水平翻转所述晶圆，并对所述晶圆的反面进行第二次曝光，以在所述晶圆的反面形成所述第一子图形和所述第二子图形；基于所述晶圆正面的所述第一子图形与所述晶圆反面的第二子图形是否对准，所述晶圆正面的所述第二子图形与所述晶圆反面的第一子图形是否对准验证所述晶圆的套刻精度。
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