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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

摘要：提供能够降低损失的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1、2电极、第1布线、半导体层、以及第1、2控制电极。第2电极的至少一部分配置于元件区域。第1布线配置于第1布线区域。半导体层设置于第1电极与2电极之间、以及第1电极与第1布线之间。半导体层包括第1～第7半导体区域。第5半导体区域配置于第1布线区域，是第1导电类型。第6半导体区域配置于第1布线区域，是第2导电类型。第1控制电极隔着第1绝缘部与第1、2半导体区域相向。第2控制电极隔着第2绝缘部与第1、2、7半导体区域相向。

主权项：1.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，至少一部分配置于元件区域，且从所述第1电极朝向所述第2电极的方向沿着第1方向；第1布线，配置于第1布线区域，且从所述元件区域向所述第1布线区域的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向；半导体层，设置于所述第1电极与所述第2电极之间、以及所述第1电极与所述第1布线之间，所述半导体层包括：第1导电类型的第1半导体区域，与所述第2电极电连接，且从所述第1电极向所述第1半导体区域的方向沿着所述第1方向，包括配置于所述第1布线区域的第1半导体部分、和配置于所述元件区域的第2半导体部分；第2导电类型的第2半导体区域，处于所述第1电极与所述第1半导体区域之间；第1导电类型的第3半导体区域，处于所述第1电极与所述第2半导体区域之间；第2导电类型的第4半导体区域，处于所述第1电极与所述第2半导体区域之间，且所述第4半导体区域中的第2导电类型的杂质浓度高于所述第2半导体区域中的第2导电类型的杂质浓度；第1导电类型的第5半导体区域，配置于所述第1布线区域且与所述第2电极电连接，且所述第1半导体部分的至少一部分处于所述第2半导体区域与所述第5半导体区域之间，所述第5半导体区域中的第1导电类型的杂质浓度高于所述第1半导体区域中的第1导电类型的杂质浓度；第2导电类型的第6半导体区域，配置于所述第1布线区域且与所述第2电极电连接，且所述第1半导体部分的至少一部分处于所述第2半导体区域与所述第6半导体区域之间；以及第2导电类型的第7半导体区域，配置于所述元件区域且与所述第2电极电连接，且所述第2半导体部分的一部分处于所述第2半导体区域与所述第7半导体区域之间；第1控制电极，隔着第1绝缘部与所述第1半导体区域以及所述第2半导体区域相向，在与所述第1方向交叉的方向上与所述第1半导体区域以及所述第2半导体区域排列，且包括配置于所述第1布线区域且与所述第1布线电连接的第1布线区域部分；以及第2控制电极，隔着第2绝缘部与所述第1半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第7半导体区域相向，在与所述第1方向交叉的方向上与所述第1半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第7半导体区域排列，且与所述第1布线绝缘。

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权利要求：

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