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申请/专利权人：HPSP有限公司
摘要：本发明提供一种使用双高压晶片处理设备的晶片高压处理方法，其中，包括：将晶片配置在第一高压晶片处理模块的第一处理室的步骤；在所述第一处理室，对所述晶片进行高压氧化、高压氮化、高压碳掺杂、及高压热处理中的一种的第一工艺的步骤；将所述晶片移送至第二高压晶片处理模块的第二处理室的步骤；以及在所述第二处理室，对所述晶片进行所述高压氧化、所述高压氮化、所述高压碳掺杂、及所述高压热处理中的另一种的第二工艺的步骤。
主权项：1.一种使用双高压晶片处理设备的晶片高压处理方法，其中，包括：将晶片配置于第一高压晶片处理模块的第一处理室的步骤；在所述第一处理室，对所述晶片进行高压氧化、高压氮化、高压碳掺杂、及高压热处理中的一种的第一工艺的步骤；将所述晶片移送至第二高压晶片处理模块的第二处理室的步骤；以及在所述第二处理室，对所述晶片进行所述高压氧化、所述高压氮化、所述高压碳掺杂、及所述高压热处理中的另一种的第二工艺的步骤，所述第一高压晶片处理模块及所述第二高压晶片处理模块配置于一个容纳空间内，所述晶片在所述容纳空间内从所述第一处理室移送至所述第二处理室，所述第一工艺及所述第二工艺在高于大气压的反应压力下进行。
全文数据：
权利要求：
百度查询： HPSP有限公司 使用双高压晶片处理设备的晶片高压处理方法
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