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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明的基片处理装置包括处理容器、流体供给部、加热机构、温度测量部和控制部，使用超临界流体使具有液膜的基片干燥。控制部获取在将基片送入处理容器的内部起至送出该基片为止的期间由温度测量部测量出的处理容器的内部的温度信息，存储将该温度信息与时间关联而得的温度时间数据。另外，控制部从所存储的温度时间数据提取温度调节对象期间的温度，基于温度调节对象期间的温度与预先保有的基准温度的比较，判断是否需要修正加热机构的设定温度，在判断为需要修正设定温度的情况下，根据修正后的设定温度来控制加热机构的输出。
主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于：所述基片处理装置使用超临界流体使具有液膜的基片干燥，包括：收纳所述基片的处理容器；流体供给部，其向所述处理容器的内部供给所述超临界流体；加热机构，其对所述处理容器的内部进行加热；和温度测量部，其测量所述处理容器的内部的温度，控制部，其控制所述流体供给部和所述加热机构，所述控制部：获取在将所述基片送入所述处理容器的内部起至送出该基片为止的期间由所述温度测量部测量出的所述处理容器的内部的温度信息，存储将该温度信息与时间关联而得的温度时间数据，从所存储的所述温度时间数据提取温度调节对象期间的温度，基于所述温度调节对象期间的温度与预先保有的基准温度的比较，来判断是否需要修正所述加热机构的设定温度，在判断为需要修正所述设定温度的情况下，根据修正后的所述设定温度来控制所述加热机构的输出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法
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