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申请/专利权人：江苏宁锦技术有限公司

摘要：本实用新型公开了一种基于水平垂直交叉耦合及粘结层扰动的双层基片集成波导滤波器，属于微波无源器件领域，包括从上至下依次堆叠的上层单元、粘结层、下层单元，上层单元与下层单元通过粘结层连接；上层单元结构包括上层介质基片，下层单元的结构均包括下层介质基片，上层介质基片、下层介质基片的上表面均设有上金属层，上层介质基片、下层介质基片的下表面均设有下金属层；上层单元和下层单元总共包含四层金属层，所述四层金属层从上至下依次分为第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层。本实用新型减少了滤波器的水平面积，实现了小型化。

主权项：1.一种基于水平垂直交叉耦合及粘结层扰动的双层基片集成波导滤波器，其特征在于：包括从上至下依次堆叠的上层单元、粘结层（9）、下层单元，上层单元与下层单元通过粘结层（9）连接；上层单元结构包括上层介质基片（7），下层单元的结构均包括下层介质基片（8），上层介质基片（7）、下层介质基片（8）的上表面均设有上金属层，上层介质基片（7）、下层介质基片（8）的下表面均设有下金属层；上层单元和下层单元总共包含四层金属层，所述四层金属层从上至下依次分为第一金属层（3）、第二金属层（4）、第三金属层（5）、第四金属层（6）；上层单元、粘结层、下层单元中均设有贯穿第一金属层（3）和第四金属层（6）的第一金属化通孔阵列（10），贯穿第一金属层和第四金属层的第一金属化通孔阵列（10）对粘结层（9）的杂散模式进行扰动，上层单元的上层介质基片（7）中设有贯穿第一金属层（3）和第二金属层（4）的第二金属化通孔阵列（11），下层单元的下层介质基片（8）中设有贯穿第三金属层（5）和第四金属层（6）的第三金属化通孔阵列（12）；第一金属化通孔阵列（10）的左侧部、第二金属化通孔阵列（11）的左侧部及中部、第一金属层（3）和第二金属层（4）构成上层单元的左侧矩形谐振腔R1，第一金属化通孔阵列（10）的右侧部、第二金属化通孔阵列（11）的右侧部及中部、第一金属层（3）和第二金属层（4）构成上层单元的右侧矩形谐振腔R3，第一金属化通孔阵列（10）、第三金属化通孔阵列（12）、第三金属层（5）和第四金属层（6）构成下层单元的矩形谐振腔R2；第二金属层（4）、第三金属层（5）均开有耦合槽；上层单元的两侧分别通过矩形谐振腔R1左侧的共面波导和矩形谐振腔R3右侧的共面波导接入输入微带线（1）和输出微带线（2），输入微带线（1）、输出微带线（2）分别位于上层单元的两侧。

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