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基片处理装置及其制造方法和排气结构 

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申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

摘要:本发明提供能够抑制与排气口连通的真空泵的旋转叶片导致的反弹颗粒向处理容器内的侵入,且排气性能优异的基片处理装置及其制造方法和排气结构。在基片处理装置的处理容器的内部,在比底板靠上方处配置有具有载置基片的载置面且平面面积比底板小的载置台,在底板设置有将处理容器的内部真空排气的排气口,在排气口的上方比载置面靠下方的高度位置配置有遮挡部件,遮挡部件的端面的一部分的第一抵接面与载置台的端面的一部分的第二抵接面彼此抵接,连接遮挡部件的与第一抵接面相邻的开放端面和排气口的中央的第一最短直线与水平线的角度为35度以上45度以下,连接遮挡部件的开放端面和排气口的端部的第二最短直线与水平线的角度为65度以上80度以下。

主权项:1.一种基片处理装置,其特征在于:所述基片处理装置在至少具有底板和侧壁的处理容器内对基片进行处理,在所述处理容器的内部,在比所述底板靠上方处配置有载置台,所述载置台具有能够载置所述基片的载置面,且平面面积比所述底板小,在所述底板设置有用于对所述处理容器的内部进行真空排气的排气口,在所述排气口的下方,配置有经由排气管与所述排气口连通的真空泵,在所述排气口的上方,在隔着所述排气口位于所述排气管的相反侧且比所述载置面靠下方的高度位置,与所述排气口相对且隔开间隔地配置有遮挡部件,作为所述遮挡部件的端面的一部分的第一抵接面与作为所述载置台的端面的一部分的第二抵接面彼此抵接,第一最短直线与水平线之间的角度为35度以上45度以下,其中,所述第一最短直线连接所述遮挡部件中的与所述第一抵接面相邻的开放端面和所述排气口的中央,第二最短直线与水平线之间的角度为65度以上80度以下,其中,所述第二最短直线连接所述遮挡部件的所述开放端面和所述排气口的端部。

全文数据:

权利要求:

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