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申请/专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
摘要：本发明涉及半导体结构及制造技术领域，具体涉及一种三维存储器的制造方法和三维存储器。制造方法包括：提供衬底层；在衬底层上形成第1至第N存储器基体，在形成第n+1存储器基体之前，包括：刻蚀第n存储器基体，形成第n通孔，第n通孔在自远离衬底层一侧向靠近衬底层一侧的方向上贯穿第n存储器基体；在第n通孔中形成第n孔塞结构，填充自第n通孔的开口平面向衬底层方向延伸部分深度的空间；之后在第n存储器基体和第n孔塞结构背向衬底层一侧表面形成第n+1存储器基体；直至形成第N通孔后，连通全部第n通孔，形成深度方向上孔径一致的直通孔。本发明的制造方法可以制造深度方向孔径一致的直通孔。
主权项：1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底层；在所述衬底层上形成第1至第N存储器基体，N≥2，N∈自然数；在形成第n+1存储器基体之前，1≤n＜N，n∈自然数，包括：刻蚀第n存储器基体，形成第n通孔，所述第n通孔在自远离所述衬底层一侧向靠近所述衬底层一侧的方向上贯穿所述第n存储器基体；在所述第n通孔中形成第n孔塞结构，填充自所述第n通孔的开口平面向所述衬底层方向延伸部分深度的空间；所述第n孔塞结构背向所述衬底层n侧表面与所述第n存储器基体背向所述衬底层n侧表面齐平；之后在第n存储器基体和所述第n孔塞结构背向所述衬底层一侧表面形成第n+1存储器基体；刻蚀所述第n+1存储器基体，形成第n+1通孔，所述第n+1通孔在所述衬底层的投影与所述第n通孔在所述衬底层的投影重叠；所述第n+1通孔自所述第n通孔的开口平面向所述衬底层延伸至所述第n孔塞结构表面，暴露出所述第n孔塞结构；形成第N通孔后，连通全部所述第n通孔，形成深度方向上孔径一致的直通孔。
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