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一种全铁电神经拟态单元及其制备方法 

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申请/专利权人:中山大学

摘要:本发明公开了一种全铁电神经拟态单元及其制备方法。一种全铁电神经拟态单元,所述全铁电神经拟态单元结构包括由上至下依次设置的上层电极阵列、铁电层和下层电极阵列;所述上层电极阵列和所述下层电极阵列的单个电极形状为矩形,单个电极的宽度分别为1nm~10μm,相邻电极相互间的间距为10nm~50μm;所述上层电极阵列的单个电极和所述下层电极阵列的单个电极的宽度比为0.001~1000;所述上层电极阵列和所述下层阵列电极错位排布,错位角的角度范围为0~180°。本发明通过精细改变电场加载条件来调控铁电功能层中的极化、屏蔽、空间电荷动力学行为,不但能够高效地模拟神经元点火、突触可塑性等行为,更能够同时实现神经元和突触的模拟,从而构建全铁电类脑网络。

主权项:1.一种全铁电神经拟态单元,其特征在于,所述全铁电神经拟态单元结构包括由上至下依次设置的上层电极阵列、铁电层和下层电极阵列;所述上层电极阵列和所述下层电极阵列的单个电极形状为矩形,单个电极的宽度分别为1nm~10μm,相邻电极相互间的间距为10nm~50μm;所述上层电极阵列的单个电极和所述下层电极阵列的单个电极的宽度比为0.001~1000;所述上层电极阵列和所述下层阵列电极错位排布,错位角的角度范围为0~180°。

全文数据:

权利要求:

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