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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种具有超结沟槽栅的MOSFET器件，包括在第一导电类型的衬底上外延形成的第二导电类型的外延层；在外延层表面形成的第二导电类型的体区；在体区顶部形成有栅沟槽，栅沟槽从外延层的上表面向下延伸穿过体区，在栅沟槽的底部形成有第一导电类型的柱体区，其中，柱体区的上端包裹栅沟槽的底部，柱体区的下端与衬底相接触；在栅沟槽表面形成有栅介质层；剩余栅沟槽中填充有栅极多晶硅层；在栅沟槽两侧的体区上方形成有源端重掺杂区，在栅极多晶硅层上形成有绝缘介质层，在源端重掺杂区上形成有接触孔，在接触孔下方的体区上形成有重掺杂区；填充接触孔的导电金属，源端、体区端金属层以及漏端金属层。本发明降低了超结沟槽栅MOSFET器件的制造工艺难度。
主权项：1.一种具有超结沟槽栅的MOSFET器件，其特征在于，至少包括：在第一导电类型的衬底上外延形成的第二导电类型的外延层；在所述外延层表面形成的第二导电类型的体区；在所述体区顶部形成有栅沟槽，所述栅沟槽从所述外延层的上表面向下延伸穿过所述体区，在所述栅沟槽的底部形成有第一导电类型的柱体区，其中，所述柱体区的上端包裹所述栅沟槽的底部，所述柱体区的下端与所述衬底相接触；在所述栅沟槽表面形成有栅介质层；剩余所述栅沟槽中填充有栅极多晶硅层；在所述栅沟槽两侧的所述体区上方形成有源端重掺杂区，在所述栅极多晶硅层上形成有绝缘介质层，在所述源端重掺杂区上形成有接触孔，在所述接触孔下方的所述体区上形成有重掺杂区；填充所述接触孔的导电金属，源端、体区端金属层以及漏端金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 具有超结沟槽栅的MOSFET器件及其制造方法
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