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申请/专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司

摘要：本发明公开了一种平面栅超结MOSFET，包括：包括多个形成在超结结构的顶部且呈并联结构的器件单元；器件单元包括：沟道区，由栅介质层和栅极导电材料层叠加而成的平面栅，形成于沟道区表面的源区；平面栅超结MOSFET的导通电阻包括串联的沟道电阻以及扩散电阻；平面栅超结MOSFET形成具有降低扩散电阻的分布结构，分布结构中，至少一个以上的第一导电类型柱具有第一种沟道设置，第一种沟道设置中仅在第一导电类型柱的一侧具有沟道区的延伸区域、而另一侧中不具有沟道区的延伸区域，使对应的第一导电类型柱的一侧顶部的沟道区边缘到第一导电类型柱的另一侧边缘都作为沟道扩散区。本发明能增加沟道扩散区的宽度并减少散电阻。

主权项：1.一种平面栅超结MOSFET，其特征在于，包括：由多个第一导电类型柱和第二导电类型柱横向交替排列而成的超结结构，一个所述第一导电类型柱和相邻的一个所述第二导电类型柱组成一个超结单元；平面栅超结MOSFET包括多个形成在所述超结结构的顶部且呈并联结构的器件单元；所述器件单元包括：沟道区，由栅介质层和栅极导电材料层叠加而成的平面栅，形成于所述沟道区表面的源区，所述沟道区具有第二导电类型并形成在对应的第二导电类型柱的顶部并延伸到周侧的所述第一导电类型柱中，被所述平面栅覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道，所述沟道将第一导电类型载流子从所述源区传输到所述第一导电类型柱中；所述源区的一侧和对应的所述平面栅的侧面自对准，所述源区的第二侧位于所述第二导电类型柱的顶部，在所述第二导电类型柱的顶部形成有和所述源区接触的源接触孔，所述源接触孔穿过层间膜将所述源区连接到由正面金属层组成的源极；所述平面栅超结MOSFET的导通电阻包括串联的沟道电阻以及扩散电阻；所述平面栅超结MOSFET形成具有降低所述扩散电阻的分布结构，所述分布结构中，至少一个以上的所述第一导电类型柱具有第一种沟道设置，所述第一种沟道设置中仅在所述第一导电类型柱的一侧具有所述沟道区的延伸区域、而另一侧中不具有所述沟道区的延伸区域，使对应的所述第一导电类型柱的一侧顶部的所述沟道区边缘到所述第一导电类型柱的另一侧边缘都作为沟道扩散区，从而增加所述沟道扩散区的宽度并减少散电阻；所述超结结构的步进缩小会使所述沟道电阻降低以及使所述扩散电阻增加，所述超结结构的步进缩小到具有使所述导通电阻中的扩散电阻的权重大于所述沟道电阻的权重的值。

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