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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
摘要：本发明题为“双集成硅控整流器晶体管和相关方法”。本发明提供了一种实施方案，其包括具有复合SCR保护的ESD稳健晶体管。该晶体管可以包括：半导体衬底，该半导体衬底具有第一导电类型；漏极区，该漏极区与半导体衬底耦接，该漏极区具有漏极SCR部件，该漏极SCR部件具有第一导电类型的第一漏极区和第二导电类型的第二漏极区。该晶体管还可以包括：源极，该源极与半导体衬底耦接；沟道区，该沟道区具有第二导电类型；以及栅极，该栅极与沟道区耦接，该栅极具有SCR部件，该SCR部件具有第一导电类型的第一栅极区和第二导电类型的第二栅极区。漏极SCR部件和栅极SCR部件可以沿沟道区产生低电阻放电路径，该低电阻放电路径响应于ESD而激活，使得ESD通过晶体管放电而不损坏晶体管。
主权项：1.一种具有复合SCR保护的ESD稳健晶体管，所述晶体管包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；漏极区，所述漏极区与所述半导体衬底耦接，所述漏极区包括漏极SCR部件，所述漏极SCR部件包括所述第一导电类型的第一漏极区和第二导电类型的第二漏极区；源极，所述源极与所述半导体衬底耦接；沟道区，所述沟道区具有所述第二导电类型；栅极，所述栅极与所述沟道区耦接，所述栅极包括SCR部件，所述SCR部件包括所述第一导电类型的第一栅极区和所述第二导电类型的第二栅极区；并且其中所述漏极SCR部件和所述栅极SCR部件沿所述沟道区产生低电阻放电路径，所述低电阻放电路径响应于ESD而激活，使得所述ESD通过所述晶体管放电而不损坏所述晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 双集成硅控整流器晶体管和相关方法
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