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一种CMP研磨率计算方法和仿真系统 

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申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

摘要:本发明提供了一种CMP研磨率计算方法和仿真系统,首先建立CMP研磨液中研磨粒子的受力平衡方程,获取研磨粒子在研磨材质表面的嵌入深度,然后求解单粒子研磨去除总量,获取研磨材质表面研磨去除速率,最终建立一种CMP表面形貌仿真方法;此外,还提出了一种实现CMP工艺仿真的系统,可实现研磨材质表面形貌的预测和分析。

主权项:1.一种CMP研磨率计算方法,其特征在于,包括:步骤S1:建立研磨粒子受力平衡方程并计算研磨粒子在研磨材质中的嵌入深度;在步骤S1中,研磨粒子与研磨材质表面间的范德华力FF如下: 其中,A为哈马克常数,R为研磨粒子半径,η为相邻研磨垫粗糙峰之间的距离,z0为研磨粒子与研磨材质间平衡距离,rs为研磨材质表面粗糙度;研磨粒子与研磨材质表面间的电双层力FS如下: 其中,Ψw和Ψp分别为研磨材质和研磨粒子的zeta电势,ε为介质的介电常数,κ为德拜长度的倒数,其中,研磨粒子与研磨材质表面间的吸附力为范德华力FF与电双层力FS之和,即FF+FS;步骤S2:计算研磨材质表面参与研磨去除的有效研磨粒子数;步骤S3:计算研磨粒子的研磨去除率;步骤S4:CMP工艺仿真。

全文数据:

权利要求:

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