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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种方法包括：在衬底的顶部上形成掺杂区域；在衬底上方形成第一外延层；在第一外延层中形成凹槽，该凹槽与掺杂区域对准；在凹槽中执行表面清洁处理，表面清洁处理包括：氧化凹槽的表面以在凹槽中形成氧化物层；以及从凹槽的表面去除氧化物层；以及在凹槽中形成第二外延层。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底的顶部上形成掺杂区域；在所述衬底上方形成第一外延层；在所述第一外延层中形成凹槽，所述凹槽与所述掺杂区域对准且所述第一外延层的第一剩余部分位于所述凹槽的底面与所述掺杂区域的顶面之间；在所述凹槽中执行表面清洁处理，所述表面清洁处理包括：氧化所述凹槽的表面以在所述凹槽中形成氧化物层；和从所述凹槽的表面去除所述氧化物层；以及在所述凹槽中形成第二外延层；图案化所述第二外延层、所述第一外延层的所述第一剩余部分、所述掺杂区域以形成鳍结构；形成隔离部件使得所述鳍结构的顶部从所述隔离部件的表面突出且所述第一外延层的所述第一剩余部分的底面与所述隔离部件的所述表面平齐。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 形成半导体器件的方法
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