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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上具有图形化的牺牲层以及位于牺牲层上的硬掩膜层，所述图形化的牺牲层暴露出部分所述待刻蚀层的表面；去除所述硬掩膜层；在去除所述硬掩膜层之后，在所述牺牲层侧壁形成侧墙；在形成侧墙之后，去除所述牺牲层。所形成的半导体结构性能得到提升。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上具有图形化的牺牲层以及位于牺牲层上的硬掩膜层，所述图形化的牺牲层暴露出部分所述待刻蚀层的表面；在所述待刻蚀层上、牺牲层的侧壁以及硬掩膜层的顶部和侧壁形成初始第二保护层；在所述待刻蚀层上、牺牲层侧壁的初始第二保护层上形成第一保护层；形成第一保护层之后，去除所述硬掩膜层；在去除所述硬掩膜层之后，在所述牺牲层侧壁形成侧墙；在形成侧墙之后，去除所述牺牲层。
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权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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