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申请/专利权人：常州时创能源股份有限公司
摘要：本发明公开了一种POLO‑IBC电池的制备方法，利用非晶硅和poly硅掺杂和氧化的差异，对局部晶化后的背面进行整面掺杂，晶化掺杂的区域做N型区，非晶化区难掺杂且易腐蚀，直接腐蚀非晶硅到隧穿层，做P型区；本发明不需使用掩膜，工艺流程简单，且P区和N区接触面都是抛光面，在保证N区钝化的同时，也提高了P型区铝浆的欧姆接触能力。
主权项：1.一种POLO-IBC电池的制备方法，其特征在于，包括依次进行的如下步骤：1）硅片背面碱抛光；2）采用PECVD在硅片背面沉积隧穿层和非晶硅层；隧穿层为氧化铝或者氧化硅；隧穿层的沉积厚度为1～2nm；非晶硅层的沉积厚度为100～300nm；3）采用激光栅线状扫描加热或者栅线状的铝层诱导非晶硅层晶化，使非晶硅栅线状的晶化生成poly硅，以背面晶化为poly硅的区域为硅片背面的N区，以背面非晶硅层未晶化的区域为硅片背面的P区；4）采用低温管式扩散或者离子注入对硅片背面进行整面低温N型掺杂；5）对硅片背面进行碱抛光，去除硅片背面P区的非晶硅层，且保留P区的隧穿层；6）在硅片背面沉积SiNx钝化膜；7）碱制绒，在硅片正面形成绒面；8）在硅片正面沉积SiNx钝化膜；9）硅片背面丝网印刷，先采用激光将硅片背面P区的SiNx钝化膜打开，然后在硅片背面P区印刷铝浆，在硅片背面N区印刷银浆；10）烧结，形成金属化电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州时创能源股份有限公司 一种POLO-IBC电池的制备方法
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