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申请/专利权人：横店集团东磁股份有限公司
摘要：本发明提供了一种IBC电池及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1对原始硅片进行制绒处理后，进行保护层镀膜，对保护层刻蚀修饰处理；2将修饰后的硅片进行抛光处理，将抛光后硅片进入LPCVD生长TOPCon电池结构后进行激光开窗；3将激光开窗后硅片进行多晶硅层和保护层的清洗，制备钝化层后经金属化制作得到所述IBC电池，本发明关注现有技术中忽视的硅片正面出绒和背面抛光问题，在IBC电池的制备过程中设置保护层，同时满足正面绒面背面抛光面的需要。
主权项：1.一种IBC电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1对原始硅片进行制绒处理后，进行保护层镀膜，对保护层刻蚀修饰处理；2将修饰后的硅片进行抛光处理，将抛光后硅片进入LPCVD生长TOPCon电池结构后进行激光开窗；3将激光开窗后硅片进行多晶硅层和保护层的清洗，制备钝化层后经金属化制作得到所述IBC电池。
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百度查询： 横店集团东磁股份有限公司 一种IBC电池及其制备方法
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