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改进型IBC太阳电池及其制备方法 

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申请/专利权人:上海交通大学

摘要:一种改进型IBC太阳电池及其制备方法,该太阳电池包括:n型晶硅衬底、依次设置于衬底前表面的p+漂浮结FFE层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层以及依次设置于衬底背表面的隧穿氧化层、n+非晶硅层、n+微晶硅层、p+非晶硅层、p+微晶硅层、氢化氮化硅减反射层和金属电极。本发明通过在IBC晶硅太阳电池前表面制备硼掺杂的漂浮结FFE层,利用FFE层不同区域电压梯度所形成的泵浦效应把电池背表面场区域载流子长距离抽送到发射极区域,提高载流子传输距离,让更多光生载流子进入硅片背面p+和n+区域被有效收集,以获得更高的短路电流密度,从而提升太阳电池的转换效率。

主权项:1.一种改进型IBC太阳电池,其特征在于,包括:n型晶硅衬底、依次设置于衬底前表面的p+漂浮结FFE层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层以及依次设置于衬底背表面的隧穿氧化层、n+非晶硅层、n+微晶硅层、p+非晶硅层、p+微晶硅层、氢化氮化硅减反射层和金属电极。

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