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申请/专利权人：先导薄膜材料(广东)有限公司
摘要：本发明属于磁记录靶材领域，具体公开一种CoFeSiB合金靶材及其制备方法。本发明所述CoFeSiB合金靶材，包括如下质量百分含量的元素组分：钴元素82‑88％，铁元素4‑6％，硅元素7‑9％，硼元素1‑3％。本发明所述CoFeSiB合金靶材成分均匀、准确，氧含量极低，晶粒尺寸均匀细小，靶材透磁率高，在后续应用中表现出良好的溅射效果。
主权项：1.一种CoFeSiB合金靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1配料：按所述CoFeSiB合金靶材中的元素组分及含量称取钴金属、铁金属、晶体硅和晶体硼进行配料，且称取晶体硼时，应当在所述CoFeSiB合金靶材中硼元素质量百分含量的基础上增加0.4-0.6％的3N的晶体硼，得到混合物料；所述CoFeSiB合金靶材包括如下质量百分含量的元素组分：钴元素82-88％，铁元素4-6％，硅元素7-9％，硼元素1-3％；2熔炼：在惰性气体氛围下，将所述混合物料进行熔炼，将熔炼后的熔体降温至1250-1400℃，得到合金熔体；所述熔炼的温度为1500-1600℃，所述熔炼的时间为5-20min；3合金浇铸：先将浇铸模具加热至400-500℃，并在浇铸模具震动的情况下，将所述合金熔体浇铸到浇铸模具中，然后在浇铸模具中进行保温，再在浇铸模具外通过水对浇铸模具及合金熔体进行冷却，得到合金锭；所述保温的温度为400-500℃，所述保温的时间为10-40s；4退火：在真空条件下，将所述合金锭进行退火处理，得到所述CoFeSiB合金靶材；所述退火处理的温度为200-300℃，所述退火的时间为2-6h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种CoFeSiB合金靶材及其制备方法
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