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申请/专利权人：中国原子能科学研究院
摘要：本发明提出了一种产生高流强He2+离子的ECR离子源的磁体系统，该系统利用原有2.45GHzECR离子源的结构空间，增加了由径向磁场和切向磁场交替布设组成的约束磁场，其特点是：该约束磁场形成的约束区域近乎等于放电腔正中间产生氦二正离子的共振区域，通过约束磁场将氦正离子和电子约束在放电腔正中间的共振区域内，提高了氦二正离子在共振区域混合束中的比例；在原本只适合产生单电荷态的低频ECR离子源中加入了径向切向约束磁铁，产生了中等电荷态的高流强的氦二正离子，在提高氦二正的产量和降低成本二者之间，找到最佳结合点。
主权项：1.一种产生高流强He2+离子的ECR离子源的磁体系统，该系统利用原有2.45GHzECR离子源的结构空间，增加了由径向磁场和切向磁场交替布设组成的约束磁场，其特征在于：该约束磁场形成的约束区域近乎等于放电腔正中间产生氦二正离子的共振区域，通过约束磁场将氦+粒子和电子约束在放电腔正中间的共振区域内，提高了氦二正离子在共振区域混合束中的比例。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国原子能科学研究院 一种产生高流强He2+离子的ECR离子源的磁体系统
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