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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：描述了通过增强选择性沉积来形成半导体装置的方法。在一些实施方式中，在沉积阻挡层之前将阻碍层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻碍分子，以相对于氧化铝表面或氮化铝表面中的一者以及电介质表面在金属表面上选择性地形成阻碍层。
主权项：1.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：将延伸到半导体基板中的特征结构暴露于具有通式R4-nSiCH3n的硅烷，其中n为1至4，并且每个R独立地选自具有1至22个碳原子的烷基、芳基、烯烃、炔烃基团，以形成阻碍层，所述特征结构限定了包括金属表面、电介质表面、和氧化铝表面或氮化铝表面的间隙，相对于所述氧化铝表面或所述氮化铝表面中的一者以及所述电介质表面，所述阻碍层选择性地形成在所述金属表面上；相对于所述阻碍层，在所述氧化铝表面或所述氮化铝表面中的一者以及所述电介质表面上选择性地沉积阻挡层；以及去除所述阻碍层。
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