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申请/专利权人:天津大学
摘要:本发明属于光催化剂合成技术领域,具体为一种DMF溶液辅助合成具有不饱和S位点的In2O3CuInS2复合材料的方法。包括合成方法及合成过程中的添加顺序、DMF的添加量。所述合成的In2O3CuInS2复合材料的两相形成界面结构,同时其最主要特征为表面具有不饱和S位点。合成的具有不饱和S位点的In2O3CuInS2复合材料表面的不饱和S位点能够调控主体材料的电子性质,促进电荷转移和氧化还原反应动力学,有效提高其光催化性能。本发明实现了温和条件下合成具有具有不饱和S位点的In2O3CuInS2复合材料,具有操作简单、节能高效、调控材料表面结构等优点。
主权项:1.一种DMF溶液辅助合成具有不饱和S位点的In2O3CuInS2复合材料的方法,包括以下步骤:步骤1、量取60mL去离子水加入到100mL烧杯中,再将0.131g分析纯InCl3·4H2OCAS:12672-70-7以及0.9g分析纯尿素CAS:57-13-6溶于其中,并且搅拌30min,然后转移入高压反应釜,放入烘箱中,设置温度150℃,时间设置为10h;步骤2、待反应完成并且冷却之后收集溶液,用离心机离心得到沉淀,然后用水和乙醇洗涤,以上操作重复三次,将沉淀物其放入烘箱中,设置温度60℃,时间设置为12h,最终得到白色沉淀InOH3;步骤3、将白色沉淀放入管式炉中,通入流速为20mLmin的Ar气气氛,温度设置500℃,升温速率为5℃min,并保持500℃2h的时间,最终收集材料为白色粉末In2O3;步骤4、量取30mL的DMF溶液CAS:68-12-2放入到100mL烧杯中,再将0.2mmol分析纯CuCl2·2H2OCAS:10125-13-0,0.2mmol分析纯InCl3·4H2OCAS:12672-70-7以及0.4mmol的硫代乙酰胺CAS:62-55-5溶于其中,并且搅拌1h,然后转移入高压反应釜,放入烘箱中,设置温度180℃,时间设置为12h;步骤5、待反应完成并且冷却之后收集溶液,用离心机离心得到沉淀,然后用水和乙醇洗涤,以上操作重复四次,将沉淀物其放入真空烘箱中,设置温度60℃,时间设置为12h,最终得到灰黑色沉淀,即为具有不饱和S位点的In2O3CuInS2复合材料。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 天津大学 DMF溶液辅助合成具有不饱和S位点的In2O3/CuInS2复合材料的方法
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