龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。
主权项：1.一种蚀刻方法，包括：a将衬底支撑在等离子体处理系统的室中的卡盘上，所述卡盘具有下电极，其中所述基底包括堆叠件，所述堆叠件包括至少两个不同的含硅层，所述至少两个不同的含硅层包括至少一个氧化硅层和至少一个氮化硅层；b将所述衬底冷却到低于-20℃的温度；c提供包括含卤素气体的蚀刻气体；d由所述蚀刻气体生成等离子体；以及e利用由所述蚀刻气体生成的等离子体在形成所述堆叠件的所述至少一个氧化硅层和所述至少一个氮化硅层中蚀刻特征。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号