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申请/专利权人：研微(江苏)半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种特征填充方法、埋入式字线结构以及特征填充系统。该特征填充方法包括以下步骤：获取包括多个间隔的特征的衬底，其中，各特征内部包括具有沉积选择性的种子层，种子层位于特征的底部；使用第一前驱体在特征内的种子层上进行自下而上的选择性沉积，以在种子层的上方形成第一填充层；以及响应于第一填充层的沉积深度达到预设深度，改变工艺条件，并使用第二前驱体在第一填充层上进行保形沉积，以在第一填充层的上方形成第二填充层。本发明通过确定出最佳的沉积工艺的切换点，能够精确控制两种沉积工艺的填充时间，提升沟槽的填充速率，同时能避免沟槽沉积后侧壁线弯曲不可控的风险，有利于进一步提升字线结构的性能并提升产能需求。
主权项：1.一种特征填充方法，用于对多个间隔的特征进行填充，所述特征包括底部和侧壁，并且具有一定深度，其特征在于，所述特征填充方法包括以下步骤：获取包括多个间隔的特征的衬底，其中，各所述特征内部包括具有沉积选择性的种子层，所述种子层位于所述特征的底部；使用第一前驱体在所述特征内的种子层上进行自下而上的选择性沉积，以在所述种子层的上方形成第一填充层；以及响应于所述第一填充层的沉积深度达到预设深度，改变工艺条件，并使用第二前驱体在所述第一填充层上进行保形沉积，以在所述第一填充层的上方形成第二填充层。
全文数据：
权利要求：
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