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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本申请提供一种用于NAND器件浅沟槽填充材料的研磨方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成由自下而上层叠的栅极介质层、多晶硅层、阻挡层和研磨缓冲层构成的叠层结构；步骤二，刻蚀该叠层结构直至露出衬底，形成多个浅沟槽隔离的刻蚀窗口；步骤三，刻蚀衬底，形成多个浅沟槽；步骤四，沉积浅沟槽填充材料；步骤五，对浅沟槽填充材料实施第一研磨，直至露出研磨缓冲层；步骤六，对浅沟槽填充材料实施第二研磨，直至露出阻挡层。在阻挡层上设置研磨缓冲层，研磨浅沟槽填充材料时保护多晶硅不受损伤的同时，不会影响刻蚀浅沟槽的工艺难度以及研磨终点的信号抓取。
主权项：1.一种用于NAND器件浅沟槽填充材料的研磨方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，提供一衬底，在所述衬底上形成由自下而上层叠的栅极介质层、多晶硅层、阻挡层和研磨缓冲层构成的叠层结构；步骤二，刻蚀所述叠层结构直至露出所述衬底，形成多个浅沟槽隔离的刻蚀窗口；步骤三，刻蚀所述衬底，形成多个浅沟槽；步骤四，沉积浅沟槽填充材料；步骤五，对所述浅沟槽填充材料实施第一研磨，直至露出所述研磨缓冲层；步骤六，对所述浅沟槽填充材料实施第二研磨，直至露出所述阻挡层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 用于NAND器件浅沟槽填充材料的研磨方法
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