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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种深沟槽电容结构，一基板的一掺杂区，具有二维的沟槽阵列定义于其中，该二维的沟槽阵列具有定义于其中的多个由第一至四区段组成的田字形结构，第一至四区段中均设置有多个凹槽；设置于凹槽中至少一层的导电层结构；覆盖导电层结构的层间介质层；多个第一接触窗，连接至所需导电层结构的一露出的顶表面，第一接触窗设置在第一、三区段和第二、四区段之间；多个第二接触窗，连接至所需导电层结构的一露出的顶表面，第二接触窗设置在第一、二区段和第三、四区段之间；多个第三接触窗，连接至所需导电层结构的一露出的顶表面。本发明提升了沟槽区段图形排布密度，进而提升了深沟槽电容器件电容密度；避免了晶圆出现翘曲问题。
主权项：1.一种深沟槽电容结构，其特征在于，包括：一基板的一掺杂区，具有二维的沟槽阵列定义于其中，该二维的沟槽阵列具有定义于其中的多个由第一至四区段组成的田字形结构，所述第一、二区段从左至右依次位于所述田字形结构的上端部分，所述第三、四区段从左至右依次位于所述田字形结构的下端部分，所述第一至四区段中均设置有多个凹槽；设置于所述凹槽中至少一层的导电层结构；覆盖所述导电层结构的层间介质层；多个第一接触窗，连接至所需所述导电层结构的一露出的顶表面，所述第一接触窗设置在所述第一、三区段和所述第二、四区段之间，相邻的所述第一接触窗之间具有间距；多个第二接触窗，连接至所需所述导电层结构的一露出的顶表面，所述第二接触窗设置在所述第一、二区段和所述第三、四区段之间，相邻的所述第二接触窗之间具有间距；多个第三接触窗，连接至所需所述导电层结构的一露出的顶表面，所述第三接触窗设置在所述第一至四区段中的所述凹槽之间，相邻的所述第三接触窗之间具有间距；第四接触窗，连接至该基板的掺杂区上，所述第四接触窗设置在所述田字形结构的四边外侧上，相邻的所述第四接触窗之间具有间距。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 华虹半导体(无锡)有限公司 深沟槽电容结构及其制造方法
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