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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本申请提供一种用于浅沟槽隔离工艺的回刻蚀方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底中形成有多个沟槽；步骤二，在沟槽内填充氧化物；步骤三，回刻蚀氧化物，以去除沟槽内的部分氧化物；步骤四，实施氟化氢吹扫，以缩减位于衬底不同区域的沟槽内的氧化物的高度差。在主刻蚀后增加氟化氢吹扫步骤，氟化氢吹扫过程中Dense区沟槽内氧化物的刻蚀速率高于ISO区，可以平衡前面主刻蚀带来的ISO区沟槽内氧化物的刻蚀速率更高的问题，减小回刻蚀结束后ISO区和Dense区的STI氧化物的高度差异。
主权项：1.一种用于浅沟槽隔离工艺的回刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，提供一衬底，在所述衬底中形成有多个沟槽；步骤二，在所述沟槽内填充氧化物；步骤三，回刻蚀所述氧化物，以去除所述沟槽内的部分所述氧化物；步骤四，实施氟化氢吹扫，以缩减位于所述衬底不同区域的沟槽内的氧化物的高度差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 用于浅沟槽隔离工艺的回刻蚀方法
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