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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种低导通电阻沟槽栅超结碳化硅VDMOS的制备方法，包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；通过阻挡层，刻蚀阻、离子注入，形成超结结构层、阱区、P型源区及N型源区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层、漂移层以及阱区，形成通孔，之后进行干氧氧化形成栅介质层，所述栅介质层底部连接至所述漂移层上侧面，所述栅介质层内设有一沟槽；通过阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层及源极金属层，去除阻挡层，完成制备，提高了耐压能力，并降低导通电阻。
主权项：1.一种低导通电阻沟槽栅超结碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；步骤2、去除阻挡层，并重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成超结结构层；步骤3、去除阻挡层，并重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成阱区；步骤4、去除阻挡层，并重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成P型源区；步骤5、去除阻挡层，并重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成N型源区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层、漂移层以及阱区，形成通孔，之后进行干氧氧化形成栅介质层，所述栅介质层底部连接至所述漂移层上侧面，所述栅介质层内设有一沟槽；步骤7、去除阻挡层，并重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并蚀刻漂移层，进行金属淀积，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备。
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