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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请的实施例提供了一种半导体器件，包含介电层、导电层、电极层和氧化物半导体层。介电层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。导电层设置在介电层的第一表面上。电极层设置在介电层的第二表面上。氧化物半导体层设置在介电层的第二表面和电极层之间，其中，氧化物半导体层包括由公式1InxSnyTizMmOn表示的材料。在公式1中，0x1，0≤y1，0z1，0m1，0n1，并且M表示至少一种金属。根据本申请的另一实施例，还提供了存储器件。根据本申请的又一实施例，还提供了形成存储器件的方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：介电层，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；导电层，设置在所述介电层的所述第一表面上；电极层，设置在所述介电层的所述第二表面上；以及氧化物半导体层，设置在所述介电层的所述第二表面和所述电极层之间，其中，所述氧化物半导体层包括包含由公式1表示的材料的第一子层以及包含所述由公式1表示的材料的第二子层，其中，所述第一子层是晶体层并且所述第二子层是非晶层：InxSnyTizMmOn[公式1]其中，在公式1中，0x1，0≤y1，0z1，0m1，0n1，并且M表示至少一种金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件、存储器件及其形成方法
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