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申请/专利权人：天津三安光电有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体外延结构及其制备方法、LED芯片，所述半导体外延结构包括：生长衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一电流扩展层，设置于生长衬底的第一表面的上方；外延层，设置于第一电流扩展层的表面，且外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二电流扩展层，设置于第二半导体层的上方；其中，第一电流扩展层包括交替设置的第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层的掺杂浓度大于第二掺杂层的掺杂浓度。在本发明中，第一电流扩展层高低浓度的掺杂层的交替设置，有利于电流扩展，进而提高芯片的抗静电性能。
主权项：1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括：生长衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一电流扩展层，设置于所述生长衬底的第一表面的上方；半导体外延层，设置于所述第一电流扩展层的上方，且所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述半导体外延层的材料为AlGaInP材料；第二电流扩展层，设置于所述第二半导体层的上方；其中，所述第一电流扩展层包括交替设置的第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂层的掺杂浓度，所述第一掺杂层的掺杂浓度大于等于所述第二掺杂层的掺杂浓度的3倍，所述第一掺杂层的浓度范围介于1E18atomscm3~1E19atomscm3，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的厚度比例介于3：1~6：1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津三安光电有限公司 半导体外延结构及其制备方法、LED芯片
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