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申请/专利权人：苏州德信芯片科技有限公司
摘要：本发明涉及一种硅基高压器件的制造方法及硅基高压器件。硅基高压器件的制造方法包括：在N+衬底层上生长N‑外延层；在N‑外延层上形成P‑WELL层，P‑WELL层嵌入N‑外延层；P‑WELL层包括主结P‑WELL区和场限环P‑WELL区；在P‑WELL层上方依次沉积SiPOS和USG，并利用第一光刻工艺刻蚀得到SiPOS钝化层和USG钝化层；SiPOS钝化层覆盖场限环P‑WELL区背向N‑外延层的表面和主结P‑WELL背向N‑外延层的部分表面；在USG钝化层上方沉积ILD，并利用第二光刻工艺刻蚀得到ILD钝化层；在ILD钝化层上方形成电极金属层；在电极金属层上依次形成第一表面钝化层和第二表面钝化层；在N+衬底层背向N‑外延层一侧的表面形成背面金属层。本发明提供的硅基高压器件的制造方法可以提高器件在超高压、大电流下的高温稳定性。
主权项：1.一种硅基高压器件的制造方法，其特征在于，包括：在N+衬底层上生长N-外延层；在所述N-外延层上形成P-WELL层，所述P-WELL层嵌入所述N-外延层；所述P-WELL层包括主结P-WELL区和场限环P-WELL区；在所述P-WELL层上方依次沉积SiPOS和USG，并利用第一光刻工艺刻蚀得到SiPOS钝化层和USG钝化层；所述SiPOS钝化层覆盖所述场限环P-WELL区背向所述N-外延层的表面和所述主结P-WELL背向所述N-外延层的部分表面；在所述USG钝化层上方沉积ILD，并利用第二光刻工艺刻蚀得到ILD钝化层；在所述ILD钝化层上方、所述ILD钝化层的侧面和所述主结P-WELL区上方沉积电极金属，光刻刻蚀形成电极金属层；在所述电极金属层上依次形成第一表面钝化层和第二表面钝化层；在所述N+衬底层背向所述N-外延层一侧的表面形成背面金属层。
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权利要求：
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