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申请/专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
摘要：本发明提供了一种载流子存储沟槽栅双极晶体管器件及其制备方法，所述载流子存储沟槽栅双极晶体管器件的制备方法包括：提供N型硅衬底；在所述N型硅衬底的正面依次形成P阱区和载流子存储层；在所述N型硅衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括层叠设置的N型多晶硅层和P型多晶硅层，且所述N型多晶硅层位于所述栅极结构的底部；在所述N型硅衬底的顶部形成发射极，在所述N型硅衬底的底部形成集电极。本发明提供的载流子存储沟槽栅双极晶体管器件的制备方法，其制备工艺简单，且制备出的载流子存储沟槽栅双极晶体管器件提高了对器件自身测温的准确性。
主权项：1.一种载流子存储沟槽栅双极晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括：提供N型硅衬底；在所述N型硅衬底的正面依次形成P阱区和载流子存储层；在所述N型硅衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括层叠设置的N型多晶硅层和P型多晶硅层，且所述N型多晶硅层位于所述栅极结构的底部；在所述N型硅衬底的顶部形成发射极，在所述N型硅衬底的底部形成集电极。
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