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申请/专利权人：湖南杰楚微半导体科技有限公司
摘要：本申请涉及功率半导体技术领域，提供了一种横向绝缘栅双极型晶体管器件及其制备方法，N型漂移区顶端的一侧间隔设有第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽内填充有第一多晶硅层，第二沟槽内填充有第二多晶硅层，第一沟槽与第一多晶硅层之间形成有第一氧化层，第二沟槽与第二多晶硅层之间形成有第二氧化层；第一沟槽和第二沟槽位于集电极区的同一侧，集电极区位于第一沟槽与栅极区之间，第一沟槽和第二沟槽均位于集电极区与横向绝缘栅双极型晶体管器件的N型掺杂区之间，能够在保证性能的情况下保持N型漂移区内载流子的浓度，实现对电子的快速抽取，实现快速关断，进而降低关断损耗。
主权项：1.一种横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括依次堆叠设置的P型衬底（1）、埋氧层（2）和N型漂移区（3），位于所述N型漂移区（3）顶部的发射极区、栅极区和集电极区，其特征在于，所述N型漂移区（3）顶端的一侧间隔设有第一沟槽（21）和第二沟槽（22），所述第一沟槽（21）内填充有第一多晶硅层（4），所述第二沟槽（22）内填充有第二多晶硅层（5），所述第一沟槽（21）与所述第一多晶硅层（4）之间形成有第一氧化层（6），所述第二沟槽（22）与所述第二多晶硅层（5）之间形成有第二氧化层（7）；其中，所述第一沟槽（21）和所述第二沟槽（22）位于所述集电极区的同一侧，所述集电极区位于所述第一沟槽（21）与所述栅极区之间，所述第一沟槽（21）和所述第二沟槽（22）均位于所述集电极区与所述横向绝缘栅双极型晶体管器件的N型掺杂区（8）之间；所述第一沟槽（21）和所述第二沟槽（22）均与所述集电极区、所述N型漂移区（3）、所述N型掺杂区（8）相接触，所述第一沟槽（21）的底面和所述第二沟槽（22）的底面均与所述埋氧层（2）的顶面接触。
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