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申请/专利权人：知光量芯(苏州)半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种量子点直接成膜的方法，属于量子点膜制备技术领域。具体方法为：在三维基底上依次涂覆前驱体溶液和导电溶液，分别生成前驱体溶液层和导电层，然后放入导电线圈内引入磁场，加热反应至溶液形成量子点后停止加热，得到量子点分散液；采用超声阵列将导电层溶液去除，得到量子点分散液薄膜后再进行加热处理固化成膜，即在三维基底上形成量子点膜。该方法简单易行，量子点薄膜膜厚可控。
主权项：1.一种量子点直接成膜的方法，其特征在于，在三维基底上依次涂覆前驱体溶液和导电溶液，分别生成前驱体溶液层和导电层，通过导电线圈在导电层上产生涡流而产生热量，从而生成特定尺寸的量子点，形成量子点溶液层；对上述样品进行超声列阵从而去除导电层，待导电层去除后，重新打开线圈电流，设置处理温度，在超声阵列的共同作用下量子点溶液层形成膜厚均匀、厚度可控的量子点薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 知光量芯(苏州)半导体有限公司 一种量子点直接成膜的方法
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