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氮化物半导体衬底、层叠结构体和氮化物半导体衬底的制造方法 

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申请/专利权人:住友化学株式会社

摘要:氮化物半导体衬底,是具有2英寸以上的直径,并具有最近的低指数晶面为0001面的主面的氮化物半导体衬底,FWHM2{10-12}相对于FWHM1{10-12}的比率为80%以上。

主权项:1.一种氮化物半导体衬底,是具有2英寸以上的直径,并具有最近的低指数晶面为0001面的主面的氮化物半导体衬底,其中,FWHM2{10-12}相对于FWHM1{10-12}的比率为80%以上,其中,FWHM1{10-12}和FWHM2{10-12}分别是根据X射线摇摆曲线测量所测量的{10-12}面衍射的半峰全宽,在测量FWHM1{10-12}时的入射条件中,从Cu的X射线源,按顺序经由使X射线为平行光的X射线反射镜、Ge220二次反射单色器、和作为围绕测角仪旋转轴的旋转角方向的ω方向的宽度为1.4mm且与所述旋转轴平行方向的长度为12mm的入射侧开口,对于所述主面的中心照射Cu的Kα1的X射线,在测量FWHM1{10-12}时的光接收条件中,开启光接收侧狭缝且不经由分光晶体,通过具有所述ω方向的宽度为14.025mm的开口的探测器接收X射线,测量FWHM2{10-12}时的入射条件与测量FWHM1{10-12}时的入射条件同样,在测量FWHM2{10-12}时的光接收条件中,经由具有所述ω方向的宽度为6.54mm的入口开口的Ge220三次反射分光晶体,由所述探测器接收X射线。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 住友化学株式会社 氮化物半导体衬底、层叠结构体和氮化物半导体衬底的制造方法

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