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一种声屏障结构 

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申请/专利权人:北京交通大学

摘要:本公开揭示了一种声屏障结构,包括:T型装置本体,所述装置本体顶端设置有吸声体结构,所述吸声体结构包括多个依次排列的尖端吸声体。相比列举的现有技术,所述声屏障结构在中心频率为500Hz至1600Hz的范围内具有最高的插入损失值,因此声波吸收率最高,降噪效果最好。

主权项:1.一种声屏障结构,包括:T型装置本体,所述T型装置本体顶端设置有吸声体结构,所述吸声体结构包括多个依次排列的尖端吸声体。

全文数据:

权利要求:

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