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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善开关损耗的超结IGBT器件及其制备方法、芯片，通过在发射极与P型漂移区之间，且栅极介质层的一侧设置、第一电荷存储区、P型阱区、第一P型重掺杂区，可以在器件开启时利用栅极电压耗尽P型阱区达到阻挡空穴的目的，并且在器件关断时使空穴流出，改善了超结IGBT器件的导通和关断损耗。
主权项：1.一种改善开关损耗的超结IGBT器件，其特征在于，所述超结IGBT器件包括：P型衬底层；N型缓冲层，形成于所述P型衬底层的正面；P型漂移区、N型漂移区，形成于所述N型缓冲层上；第一电荷存储区、P型阱区，形成于所述P型漂移区上；第二电荷存储区，形成于所述N型漂移区上；栅极介质层、栅极多晶硅层，所述栅极介质层形成于所述P型漂移区、所述N型漂移区的部分区域上，且所述栅极介质层包裹所述栅极多晶硅层；第一P型重掺杂区，形成于所述第一电荷存储区、所述P型阱区上；P型基区，形成于所述第二电荷存储区上；N型重掺杂区、第二P型重掺杂区，形成于所述P型基区上；发射极，与所述第一P型重掺杂区、所述N型重掺杂区以及所述第二P型重掺杂区接触；集电极，形成于所述P型衬底层的背面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 改善开关损耗的超结IGBT器件及其制备方法、芯片
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