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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及具有降低的导通电阻的HEMT器件及其制造过程。HEMT晶体管在具有半导体异质结构的半导体本体上形成。半导体材料的栅极区域布置在半导体本体上并且具有侧面。非导电材料的密封区域在栅极区域的侧面上延伸；并且非导电材料的钝化层具有在半导体本体上、在栅极区域的两侧并在与其相距一定距离处延伸的表面部分。密封区域与钝化区域具有不同的特点，诸如由不同的材料制成或具有不同的厚度。
主权项：1.一种HEMT器件，包括：半导体本体，具有半导体异质结构；在半导体本体上的栅极区域，该栅极区域具有多个侧面；第一非导电材料的多个密封区域，在栅极区域的所述多个侧面上延伸并与其接触；以及第二非导电材料的钝化层，该钝化层具有在半导体本体上、侧向地且在距栅极区域的所述多个侧面一定距离处延伸的表面部分，所述多个密封区域与所述钝化层具有不同的几何参数；以及多个间隔物区域，侧向延伸并与所述多个密封区域接触，钝化层具有在所述多个间隔物区域上、侧向地且在距所述多个密封区域一定距离处延伸的凸起部分。
全文数据：
权利要求：
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