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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：可以提供一种具有改善的特性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：单元衬底；多个栅电极，顺序地堆叠在单元衬底上；半导体层，在竖直方向上延伸，与单元衬底的上侧相交，并且与多个栅电极相交；以及包括铁电体的栅极介电层，在每个栅电极和半导体层之间；其中，半导体层包括均在竖直方向上延伸的n型沟道层和p型沟道层，并且n型沟道层包括在竖直方向上延伸的氧化物二维电子气2‑DEG层。
主权项：1.一种半导体存储器件，包括：单元衬底；多个栅电极，顺序地堆叠在所述单元衬底上；半导体层，在竖直方向上延伸，与所述单元衬底的上侧相交，并且与所述多个栅电极相交；以及包括铁电体的栅极介电层，在每个栅电极和所述半导体层之间，其中，所述半导体层包括均在所述竖直方向上延伸的n型沟道层和p型沟道层，并且所述n型沟道层包括在所述竖直方向上延伸的氧化物二维电子气2-DEG层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器件及其制造方法、以及电子系统
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