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一种双面TOPCOn电池的退火工艺 

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申请/专利权人:英利能源发展有限公司

摘要:本发明公开一种双面TOPCon电池的退火工艺。将双面沉积多晶硅层的硅片于惰性气氛下,在600℃~1000℃进行第一次退火,得预退火硅片;将预退火硅片于氧气和水蒸气的混合气氛下,于200℃~400℃进行第二次退火,得退火硅片。本发明提供的双面TOPCon电池的退火工艺,通过对退火工艺进行改进,不但提高了电池的长波段光学响应,还有效降低了载流子在多晶硅中的复合,显著提高了双面TOPCon电池的短路电流和电池效率,除此之外,还可省去传统制备双面TOPcon电池的正面减薄工序,有效降低了双面TOPCon电池制备工艺的难度,具有较高的推广应用价值。

主权项:1.一种双面TOPCon电池的退火工艺,其特征在于,包括如下步骤:步骤a,将双面沉积多晶硅层的硅片于惰性气氛下,在600℃~1000℃进行第一次退火,得预退火硅片;步骤b,将所述预退火硅片于氧气和水蒸气的混合气氛下,于200℃~400℃进行第二次退火,得退火硅片。

全文数据:

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