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申请/专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
摘要：本发明提供一种热电堆红外传感器及其制备方法，热电堆红外传感器的制备方法通过扇出型晶圆级封装方法将热电堆红外传感器芯片进行封装，可提高和保障芯片可靠性，成本可控，将热电堆红外传感器芯片的电信号从正面引到背面，可以同时实现多个红外热电堆芯片的封装，大大减小封装尺寸；本发明在晶圆上集成透镜结构，缩小光学尺寸，使用便捷，同时提高封装体的应用范围以及应用灵活性；本发明的热电堆传感器芯片与透镜芯片的键合区域作用于信号处理电路上方，节省空间，还可以进一步提高芯片的集成度。
主权项：1.一种热电堆红外传感器的制备方法，其特征在于，所述热电堆红外传感器的制备方法包括：S1：提供第一晶圆，所述第二晶圆包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，于所述第一表面形成热电堆结构及信号处理电路，所述热电堆结构包括位于所述第一表面周侧的焊盘区域；S2：提供第二晶圆，所述第二晶圆包括第三表面及与所述第三表面相对的第四表面，于所述第三表面形成凹腔结构，于所述第四表面形成透镜结构；S3：将所述第一晶圆的所述第一表面与所述第二晶圆的所述第三表面进行对准键合，形成键合晶圆，其中，所述热电堆结构与所述凹腔结构相对设置，对所述键合晶圆进行划片，并将所述焊盘区域暴露，获得单个的热电堆红外传感器芯片；S4：于所述热电堆红外传感器芯片进行封装，形成第一封装层，所述第一封装层的厚度至少高于所述焊盘区域的高度；S5：于所述第一封装层形成金属布线，所述金属布线一端与所述焊盘区域连接，另一端于所述第一晶圆的所述第二表面引出；S6：于所述热电堆红外传感器芯片进行二次封装，形成第二封装层，所述第二封装层的厚度高于所述热电堆红外传感器芯片的高度，将所述热电堆红外传感器芯片及所述金属布线包裹其中，实现扇出型封装结构；S7：刻蚀所述热电堆红外传感器芯片上方的所述第二封装层，将所述透镜结构暴露，获得所述热电堆红外传感器。
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权利要求：
百度查询： 上海烨映微电子科技股份有限公司 热电堆红外传感器及其制备方法
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