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申请/专利权人：乌镇实验室
摘要：本发明提供一种硫化银半导体晶体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1分别称量高纯度的Ag和S颗粒作为初始原料，其中Ag：S的摩尔比1.8～2.2：1；2将所述初始原料进行真空密封，在摇摆炉中升温至熔融温度1000～1100℃并保温0.5～4h后冷却得到多晶棒；3将多晶棒真空密封，放置位于三温区晶体生长炉的高温区保温，所述高温区的温度为920～1000℃，然后以0.5～3mmh的速度下降并经过温度梯度为30～35℃cm的梯度区；随后进入三温区晶体生长炉的低温区，所述低温区的温度为400～600℃；获得Ag2S晶体；4将获得的晶体进行退火，退火温度为700～900℃，退火时间为5～20h。本发明解决了现有制备方法存在的工艺繁琐，条件苛刻，生长尺寸较小等问题。
主权项：1.一种硫化银半导体晶体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1分别称量高纯度的Ag和S颗粒作为初始原料，其中Ag：S的摩尔比1.8～2.2：1；2将所述初始原料进行真空密封，在摇摆炉中升温至熔融温度1000～1100℃并保温0.5～4h后冷却得到多晶棒；3将多晶棒真空密封，放置位于三温区晶体生长炉的高温区保温，所述高温区的温度为920～1000℃，然后以0.5～3mmh的速度下降并经过温度梯度为30～35℃cm的梯度区；随后进入三温区晶体生长炉的低温区，所述低温区的温度为400～600℃；获得Ag2S晶体；4将获得的晶体进行退火，退火温度为700～900℃，退火时间为5～20h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 乌镇实验室 一种硫化银半导体晶体及其制备方法
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