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申请/专利权人：三星电子株式会社

摘要：公开富勒烯衍生物、薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基，所述薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备包括所述富勒烯衍生物。在化学式1中，X、Ar、和R1‑R3与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]

主权项：1.富勒烯衍生物，包括：由化学式2表示的取代基，[化学式2] 其中，在化学式2中，X为O，R1-R3的至少两个独立地为异丙基、异丁基、异戊基、异己基、异庚基、异辛基、叔丁基、叔戊基、叔己基、新戊基、或新己基之一，R1-R3的其余者独立地为氢、氘、未取代的C1烷基、或其组合，*为与富勒烯核的连接点，和在化学式2中，取决于苯环的能取代的位点，R3的数量为一个或两个。

全文数据：富勒烯衍生物、薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备对相关申请的交叉引用本申请要求于2017年12月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0165360的优先权和权益，将其全部内容引入本文中作为参考。技术领域公开了富勒烯衍生物、薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备。背景技术富勒烯为具有由碳构成的封闭笼结构并且由于其稳定的结构和令人满意的电特性而用在多种领域中的分子。近来，已经通过将富勒烯与取代基组合而开发了多种富勒烯衍生物。光电器件可利用光电效应将光转换成电信号，其可包括光电二极管、光电晶体管等，且其可应用于电子器件例如图像传感器。所述光电器件可包括具有高的光吸收特性和令人满意的电特性的富勒烯或其衍生物。发明内容一种实施方式提供新的可应用于光电器件的富勒烯衍生物。另一实施方式提供包括所述富勒烯衍生物的薄膜。另一实施方式提供包括所述富勒烯衍生物的光电器件。又一实施方式提供包括所述光电器件的图像传感器。还一实施方式提供包括所述光电器件或所述图像传感器的电子设备。根据一种实施方式，提供包括由化学式1表示的取代基的富勒烯衍生物。[化学式1]在化学式1中，Ar可为C6-C30芳族环。X可为O、S、Se、Te、SO、SO2、NRa、CRbRc、SiRdRe、或GeRfRg之一，R1-R3和Ra-Rg可独立地为氢、氘、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20杂烷基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C2-C20杂烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂环基团、卤素、氰基、或其组合之一，和*可为与富勒烯核核心的连接点，条件是当Ar为苯环时，化学式1由化学式2表示，[化学式2]其中，在化学式2中，X和R1-R3与在化学式1中定义的相同，和R1-R3的至少两个可独立地为取代的或未取代的C3-C20支化烷基。在一些实例实施方式中，所述富勒烯衍生物可为能通过升华而真空沉积的化合物。在一些实例实施方式中，在1Pa或更小的压力下的热重分析时，所述富勒烯衍生物呈现出相对于初始重量的10％重量损失可出现在小于或等于约450℃的温度处，和所述富勒烯衍生物呈现出相对于所述初始重量的50％重量损失可出现在小于约500℃的温度处。在一些实例实施方式中，所述富勒烯衍生物可具有约3.7eV-约5.0eV的LUMO能级，和所述富勒烯衍生物可具有约5.8eV-约7.0eV的HOMO能级。在一些实例实施方式中，Ar可为苯环或稠环。在一些实例实施方式中，Ar可为苯环、萘环、蒽环、菲环、芘环、或苯并[9,10]菲环之一。在一些实例实施方式中，所述富勒烯核可为C60、C70、C74、C76、或C78之一。在一些实例实施方式中，化学式2的R1-R3的至少两个可独立地为异丙基、异丁基、异戊基、异己基、异庚基、异辛基、叔丁基、叔戊基、叔己基、新戊基、或新己基之一。在一些实例实施方式中，由化学式2表示的取代基可由化学式3至8之一表示。在化学式3至8中，R1和R2可独立地为取代或未取代的C3-C20支化烷基，且X和R3可与在上面定义的相同。在一些实例实施方式中，由化学式1表示的取代基可由化学式1A至1F之一表示。其中在化学式1A至1F中，X和R1-R3可与在上面定义的相同。根据另一实施方式，提供包括所述富勒烯衍生物的薄膜。在一些实例实施方式中，所述薄膜在450nm的波长处的消光系数可小于包括未取代的C60富勒烯的薄膜在450nm的波长处的消光系数。在一些实例实施方式中，所述薄膜在450nm的波长处的消光系数可小于或等于包括未取代的C60富勒烯的薄膜在450nm的波长处的消光系数的约12。根据又一实施方式，光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层。所述有机层可包括包含由化学式1表示的取代基的富勒烯衍生物。在一些实例实施方式中，所述有机层可包括活性层，所述活性层可包括p型半导体和n型半导体，所述p型半导体和所述n型半导体形成pn结，并且所述n型半导体可包括所述富勒烯衍生物。根据另一实施方式，图像传感器包括所述光电器件。根据又一实施方式，电子设备包括所述图像传感器。根据还一实施方式，电子设备包括所述光电器件。提供满足所需光学特性和电特性的富勒烯衍生物，并且包括其的光电器件和电子设备的特性可改善。附图说明图1为显示根据实施方式的光电器件的横截面图，图2为显示根据一种实施方式的有机CMOS图像传感器的示意性顶部俯视图，图3为显示图2的有机CMOS图像传感器的一个实例的横截面图，图4为显示所述有机CMOS图像传感器的另一实例的横截面图，图5为显示根据另一实施方式的有机CMOS图像传感器的示意性顶部俯视图，图6为显示图5的有机CMOS图像传感器的一个实例的横截面图，和图7为显示根据合成实施例1至5的富勒烯衍生物以及根据参考例的富勒烯的光吸收特性的图。具体实施方式在下文中，将详细地描述本公开内容的实例实施方式，使得本领域技术人员将理解其。然而，本公开内容可以许多不同的形式体现且不被解释为限于本文中阐明的实例实施方式。在附图中，为了清楚，层、膜、面板、区域等的厚度被放大。在说明书中，相同的附图标记始终表示相同的元件。将理解，当一个元件例如层、膜、区域、或基板被称为“在”另外的元件“上”时，其可直接在所述另外的元件上或者还可存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另外的元件“上”时，则不存在中间元件。在附图中，为了实施方式的清楚，省略了与描述没有关系的部分，且在说明书中，相同或相似的构成元件始终由相同的附图标记表示。在下文中，“组合”指的是两者或更多者的混合物以及两者或更多者的堆结构。如本文中使用的，当未另外提供定义时，“取代的”指的是化合物或基团的氢被选自如下的取代基代替：卤素原子、羟基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、脒基、肼基、腙基、羰基、氨基甲酰基、硫醇基团、酯基、羧基或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C6-C30芳基、C7-C30芳烷基、C1-C30烷氧基、C1-C20杂烷基、C3-C20杂芳烷基、C3-C30环烷基、C3-C15环烯基、C6-C15环炔基、C3-C30杂环烷基、及其组合。如本文中使用的，当未另外提供定义时，“杂”指的是在一个官能团中包括选自N、O、S、P、和Si的一到三个杂原子、以及剩余的碳。措词“杂烯基”指的是其中碳链被一个或多个杂原子例如N、O、S、P和Si打断的烯烃基团。如本文中使用的，当未另外提供定义时，“芳基”指的是这样的基团：其包括至少一个芳族烃部分，例如所述芳族烃部分的所有元素都具有形成共轭的p轨道，例如苯基或萘基；其包括通过σ键连接的两个或更多个芳族烃部分，例如联苯基、三联苯基、或四联苯基；和其包括直接或间接稠合以提供非芳族稠环的两个或更多个芳族烃部分，例如芴基。如本文中使用的，当未另外提供定义时，“杂环基团”是杂芳基的上位概念，且可在环例如芳基、环烷基、其稠环、或其组合中包括至少一个杂原子代替碳C，其中所述杂原子可为例如N、O、S、P、和或Si，但不限于此。当所述杂环基团为稠环时，在所述杂环基团的整个环或每个环中可包括至少一个杂原子。如本文中使用的，当未另外提供定义时，“杂芳基”指的是包括至少一个杂原子的芳基，其中所述杂原子可为例如N、O、S、P、和或Si，但不限于此。至少两个杂芳基可通过σ键直接连接，或者至少两个杂芳基可彼此稠合。当所述杂芳基为稠环时，每个环可包括一至三个杂原子。在下文中，描述根据实施方式的富勒烯衍生物。根据实施方式的富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基。[化学式1]在化学式1中，X为O、S、Se、Te、SO、SO2、NRa、CRbRc、SiRdRe、或GeRfRg，Ar为C6-C30芳族环，R1-R3和Ra-Rg独立地为氢、氘、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20杂烷基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C2-C20杂烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂环基团、卤素、氰基、或其组合，和*为与富勒烯核的连接点，条件是当Ar为苯环时，化学式1由化学式2表示，[化学式2]其中，在化学式2中，X、和R1-R3与在化学式1中定义的相同，和R1-R3的至少两个独立地为取代或未取代的C3-C20支化烷基。在化学式1和2中，R1-R3可为Ar的取代基。在化学式1和2中，取决于Ar或苯环的能取代的位点，R1-R3各自的数量可为一个或两个或更多个，并且R1-R3的数量之和与Ar或苯环的能取代的位点的数量相同。在化学式1和2中，取决于Ar或苯环的能取代的位点，R3的数量可为一个或两个或三个。所述富勒烯衍生物具有被五边形环五元环和芳族环的稠环取代的结构，并且因此与未取代的富勒烯相比，可增加空间位阻和减少π-共轭体系。因此，所述富勒烯衍生物与所述未取代的富勒烯相比可减少在沉积期间的聚集并且因此改善成膜特性和减少可由所述聚集引起的光学特性的变更。特别地，包括由化学式2表示的取代基的富勒烯衍生物具有多个支化烷基并且因此可降低升华温度且因此可通过升华而真空沉积而没有该材料的分解。所述富勒烯衍生物可被真空沉积，例如，通过升华而被真空沉积。可通过热重分析TGA研究通过升华的真空沉积，且在所述热重分析中，在小于或等于约1Pa的压力下，在其处相对于初始重量的10％重量损失发生的温度可例如小于或等于约450℃，且在其处相对于所述初始重量的50％重量损失发生的温度可小于约500℃。例如，在于小于或等于约1Pa的压力下的热重分析期间，所述富勒烯衍生物在约300℃-约450℃下可具有相对于初始重量的10重量％重量损失并且在大于或等于约380℃且小于约500℃的温度下可具有相对初始重量的50重量％重量损失。在所述范围内，所述相对于初始重量的10重量％重量损失可例如在约310℃-约445℃下发生并且所述相对于初始重量的50重量％重量损失可例如在约420℃-约490℃下发生，在所述范围内，所述相对于初始重量的10重量％重量损失可例如在约310℃-约425℃下发生并且所述相对于初始重量的50重量％重量损失可例如在约420℃-约470℃下发生，和在所述范围内，所述相对于初始重量的10重量％重量损失可例如在约310℃-约410℃下发生并且所述相对于初始重量的50重量％重量损失可例如在约420℃-约460℃下发生。所述富勒烯衍生物可具有约3.7eV-约5.0eV的LUMO能级和约5.8eV-约7.0eV的HOMO能级、约3.8eV-约4.9eV的LUMO能级和约6.0eV-约6.9eV的HOMO能级、约3.8eV-约4.8eV的LUMO能级和约6.0eV-约6.7eV的HOMO能级、或约3.8eV-约4.5eV的LUMO能级和约6.0eV-约6.5eV的HOMO能级。所述富勒烯衍生物可具有例如约2.0eV-约2.3eV的能带隙。当所述富勒烯衍生物具有在所述范围内的能级时，其可有效地用作n型半导体。例如，Ar可为苯环或稠环。例如，Ar可为苯环、萘环、蒽环、菲环、芘环、或苯并[9,10]菲环。例如，Ar可为苯环或萘环。例如，所述富勒烯核可为C60、C70、C74、C76、或C78。例如，所述富勒烯核可为C60。例如，具有与由化学式1表示的取代基键合的富勒烯核的富勒烯衍生物可由化学式A表示。[化学式A]在化学式A中，X、Ar、和R1-R3与上面描述的相同。例如，Ar可为苯环且R1-R3的至少两个可独立地为取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20杂烷基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C2-C20杂烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂环基团、卤素、氰基、或其组合。例如，Ar可为苯环且R1-R3的至少两个可独立地为取代或未取代的C3-C20烷基例如异丙基、异丁基、异戊基、异己基、异庚基、异辛基、叔丁基、叔戊基、叔己基、新戊基、或新己基。例如，Ar可为稠环例如萘环、蒽环、菲环、芘环、或苯并[9,10]菲环，且R1-R3可独立地为氢、氘、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20杂烷基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C2-C20杂烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂环基团、卤素、含有氰基的基团、或其组合。例如，化学式2的R1-R3的至少两个可独立地为取代或未取代的C3-C20烷基，例如取代或未取代的C3-C20支化烷基，例如异丙基、异丁基、异戊基、异己基、异庚基、异辛基、叔丁基、叔戊基、叔己基、新戊基、或新己基。例如，由化学式2表示的取代基可例如由化学式3至8之一表示。在化学式3至8中，X和R3与上面描述的相同，和R1和R2独立地为取代或未取代的C3-C20支化烷基。例如，R1和R2可独立地为异丙基、异丁基、异戊基、异己基、异庚基、异辛基、叔丁基、叔戊基、叔己基、新戊基、或新己基。例如，由化学式1表示的取代基可由化学式1A至1F之一表示，但不限于此。在化学式1A至1F中，X和R1-R3与上面描述的相同。所述富勒烯衍生物可为例如组1的化合物之一，但不限于此。[组1]在组1中，i-Pr为异丙基，t-Bu为叔丁基，Pr为正丙基，Et为乙基，R3和Rb-Re与以上描述的相同，且R3各自可相同或不同。所述富勒烯衍生物可如上所述通过升华而真空沉积成薄膜。所述薄膜可保持所述富勒烯衍生物的固有特性而不破坏和或转变所述富勒烯衍生物的化学键，且因此，与包括未取代的富勒烯例如，C60的薄膜的由于在沉积期间的聚集所致的光学性质的转变相比，所述薄膜的光学性质的转变可减少。例如，包括所述富勒烯衍生物的薄膜可具有与包括未取代的富勒烯例如，C60富勒烯的薄膜的光吸收特性不同的光吸收特性，且例如，在约400nm-约500nm的可见光的短波长区域中，包括所述富勒烯衍生物的薄膜的反常的光吸收可减少。例如，包括所述富勒烯衍生物的薄膜可具有比包括未取代的富勒烯例如，C60富勒烯的薄膜在450nm的波长处的消光系数小、例如小于或等于包括未取代的富勒烯例如，C60富勒烯的薄膜在450nm的波长处的消光系数的约12的在450nm的波长处的消光系数。这里，“薄膜”可具有1nm-500μm、1nm-300μm、1nm-100μm、10nm-90μm、20nm-80μm、30nm-70μm、30nm-60μm、30nm-50μm、30nm-40μm、30nm-30μm、30nm-20μm、30nm-10μm、30nm-5μm、30nm-3μm、或30nm-1μm的厚度。在下文中，描述包括所述富勒烯衍生物的光电器件。图1为显示根据实施方式的光电器件的横截面图。参照图1，根据实施方式的光电器件100包括彼此面对的第一电极10和第二电极20以及设置在第一电极10和第二电极20之间的有机层30。可在第一电极10的表面或第二电极20的表面上设置基板未示出。所述基板可例如由如下制成：无机材料例如玻璃，有机材料例如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚醚砜、或其组合，或者可为硅晶片。可省略所述基板。第一电极10和第二电极20之一可为阳极且另一个可为阴极。例如，第一电极10可为阳极且第二电极20可为阴极。第一电极10和第二电极20的至少一个可为光透射性电极且所述光透射性电极可例如由如下制成：导电氧化物例如氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO、氧化锌ZnO、氧化锡SnO2、氧化铝铟AlTO、和氟掺杂的氧化锡FTO，或者单层或多层的金属薄层。当第一电极10和第二电极20之一为非光透射性电极时，其可由例如不透明导体例如铝Al、银Ag、或金Au制成。例如，第一电极10和第二电极20可全部为光透射性电极。例如，第二电极20可为设置在光接收侧处的光接收电极。有机层30可包括活性层。所述活性层为包括p型半导体和n型半导体以提供pn结的层，其为通过接收来自外部的光而产生激子且然后从所产生的激子分离空穴和电子的层。所述p型半导体和所述n型半导体可为吸收各可见光区域中的光的至少一部分的光吸收材料，且例如所述p型半导体可为可主要地和选择性地吸收在大于或等于约400nm且小于约500nm、约500nm-约600nm、和大于约600nm且小于或等于约700nm的波长区域之一中的光的光吸收材料，且所述n型半导体可为所述富勒烯衍生物。例如，所述p型半导体可为可主要地和选择性地吸收在约500nm-约600nm的波长区域中的光的光吸收材料且所述n型半导体可为所述富勒烯衍生物。例如，所述p型半导体可为例如具有约3.0eV-约3.6eV的LUMO能级和约5.1eV-约5.7eV的HOMO能级的光吸收材料。在所述范围内，所述p型半导体可为例如具有约3.1eV-约3.5eV的LUMO能级和约5.2eV-约5.6eV的HOMO能级的光吸收材料。例如，所述p型半导体可为例如具有包括给电子部分、π共轭连接基团、和受电子部分的核心结构的光吸收材料。所述p型半导体为具有所述核心结构的化合物且可包括例如由化学式4表示的化合物，但不限于此。[化学式4]在化学式4中，Y为Se、Te、S、SO、SO2、或SiRhRi，EDG为给电子基团，EAG为受电子基团，和R11、R12、Rh、和Ri独立地为氢或单价取代基。这里，所述单价取代基可为例如取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C1-C6烷氧基、卤素、或氰基，但不限于此。所述p型半导体可为例如由化学式4A表示的光吸收材料，但不限于此。[化学式4A]在化学式4A中，Y为Se、Te、S、SO、SO2、或SiRhRi，Arp为取代或未取代的5元环、取代或未取代的6元环、或者两个或更多个前述环的稠环，Ar1a和Ar2a独立地为取代或未取代的C6-C30芳基或者取代或未取代的C3-C30杂芳基，Ar1a和Ar2a独立地存在或者通过G1连接体彼此连接以形成环，其中G1为单键、-CRjRkn2-、-O-、-S-、-Se-、-N＝、-NRl-、-SiRmRn-、和-GeRoRp-之一，且n2为1或2，和R1a-R3a和Rh-Rp独立地为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C1-C6烷氧基、卤素、或氰基。所述p型半导体可为例如由化学式2A-1至2A-4之一表示的光吸收材料，但不限于此。[化学式2A-1][化学式2A-2][化学式2A-3][化学式2A-4]在化学式2A-1至2A-4中，Y为Se、Te、S、SO、SO2、或SiRhRi，Z1为O或CRqRr，Y1为N或CRs，Y2为O、S、Se、Te、和CRtCN之一，Y3为O、S、Se、或Te，Y4为N或NR18a，Y5为CR19a或C＝CR20aCN，Ar1a和Ar2a独立地为取代或未取代的C6-C30芳基或取代或未取代的C3-C30杂芳基，Ar1a和Ar2a独立地存在或者彼此连接以形成环，R1a-R3a、R11a、R12a、R15a-R20a、R24a、R25a、Rh、Ri、和Rq-Rt独立地为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、卤素、氰基、或含氰基的基团，n1为0或1，m1为0或1，且m2为范围0-4的整数。由化学式2A-1至2A-4之一表示的光吸收材料可为例如组2至组5的化合物之一，但不限于此。[组2][组3][组4][组5]在组2至5中，各芳族环的氢可被选自如下的取代基代替：取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C4-C30杂芳基、卤素、氰基、含有氰基的基团、及其组合，和R16、R17、R18、和R20独立地为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C4-C30杂芳基、卤素、氰基、含有氰基的基团、或其组合。所述n型半导体可包括所述富勒烯衍生物。所述富勒烯衍生物可有效地与所述p型半导体电匹配且可具有例如约3.7eV-约5.0eV的LUMO能级和约5.8eV-约7.0eV的HOMO能级。在所述范围内，例如，其可具有约3.8eV-约4.9eV的LUMO能级和约6.0eV-约6.9eV的HOMO能级、约3.8eV-约4.8eV的LUMO能级和约6.0eV-6.7eV的HOMO能级、或约3.8eV-约4.5eV的LUMO能级和约6.0eV-6.5eV的HOMO能级。所述富勒烯衍生物可具有例如约2.0eV-约2.3eV的能带隙。当所述富勒烯衍生物具有在所述范围内的能级时，其可有效地起到对于所述p型半导体的n型半导体的作用。所述富勒烯衍生物可被设计，只要其满足以上描述的所述富勒烯衍生物的电特性和特定结构。所述富勒烯衍生物有效地与如上所述的p型半导体电匹配。另外，所述富勒烯衍生物具有被五边形环和芳族环的稠环取代的结构并且因此与未取代的富勒烯相比可增加空间位阻且减少π共轭体系。因此，与未取代的C60富勒烯相比，所述富勒烯衍生物可抑制在沉积期间的聚集并且因此可改善成膜特性和减少光学性质的变更、例如可由所述聚集引起的吸收波长区域的变更。以上p型半导体和包括所述富勒烯衍生物的n型半导体可通过升华共沉积以形成活性层，且因此所述活性层可保持所述富勒烯衍生物的固有特性而没有在共沉积期间所述富勒烯衍生物的化学键的破坏和或转变。例如，包括所述富勒烯衍生物的活性层可具有与包括未取代的富勒烯例如，C60富勒烯的活性层的光吸收特性不同的光吸收特性，且因此在可见光的短波长区域、例如范围约400nm-约500nm的短波长区域中的反常的吸收可减少。例如，包括所述富勒烯衍生物的活性层可具有比包括未取代的富勒烯例如，C60富勒烯的活性层的在450nm的波长处的消光系数小的在450nm的波长处的消光系数，和包括所述富勒烯衍生物的活性层在450nm的波长处的消光系数可小于或等于包括未取代的富勒烯例如，C60富勒烯的活性层在450nm的波长处的消光系数的约12。所述活性层的光吸收特性可通过将所述p型半导体的光吸收特性与所述n型半导体的光吸收特性组合来表达。例如，与包括未取代的富勒烯例如，C60富勒烯和选择性地吸收在约500nm-约600nm的波长区域中的光的p型半导体的活性层相比，包括包含所述富勒烯衍生物的n型半导体和选择性地吸收在约500nm-约600nm的波长区域中的光的p型半导体的活性层的吸收峰可容易地分开，且因此所述活性层的波长选择性可增加。因此，所述活性层可有效地用于需要波长选择性的光电器件。所述活性层可包括通过将所述p型半导体和包括所述富勒烯衍生物的所述n型半导体共沉积而形成的本征层I层，并且可以约1:9-约9:1、例如约2:8-约8:2、约3:7-约7:3、约4:6-约6:4、或约5:5的体积比包括所述p型半导体和所述n型半导体。除所述本征层之外，所述活性层可进一步包括p型层和或n型层。所述p型层可包括所述p型半导体且所述n型层可包括所述n型半导体。例如，所述活性层可包括p型层I层、I层n型层、p型层I层n型层等的各种组合。有机层30可进一步包括在第一电极10和所述活性层之间和或在第二电极20和所述活性层之间的电荷辅助层未示出。所述电荷辅助层可使在活性层中分离的空穴和电子被容易地传输以改善效率。所述电荷辅助层可包括选自如下的一个：用于促进空穴注入的空穴注入层、用于促进空穴传输的空穴传输层、用于防止电子传输的电子阻挡层、用于促进电子注入的电子注入层、用于促进电子传输的电子传输层、和用于防止空穴传输的空穴阻挡层。所述电荷辅助层可包括例如有机材料、无机材料、或有机-无机材料。所述有机材料可为具有空穴或电子注入、传输、或阻挡特性的有机材料且所述无机材料可为例如金属氧化物例如氧化钼、氧化钨、或氧化镍。所述电荷辅助层可包括例如所述富勒烯衍生物。光电器件100可进一步包括在第一电极10或第二电极20的一个表面上的抗反射层未示出。所述抗反射层设置在光入射侧处并且降低入射光的光反射率且由此光吸收率得以进一步改善。例如，当光从第一电极10进入时，所述抗反射层可设置在第一电极10下面，而当光从第二电极20进入时，所述抗反射层可设置在第二电极20上。所述抗反射层可包括例如具有约1.6-约2.5的折射率的材料，且可包括例如具有在所述范围内的折射率的金属氧化物、金属硫化物、和有机材料的至少一种。所述抗反射层可包括例如金属氧化物，例如包含铝的氧化物、包含钼的氧化物、包含钨的氧化物、包含钒的氧化物、包含铼的氧化物、包含铌的氧化物、包含钽的氧化物、包含钛的氧化物、包含镍的氧化物、包含铜的氧化物、包含钴的氧化物、包含锰的氧化物、包含铬的氧化物、包含碲的氧化物、或其组合；金属硫化物例如硫化锌；或有机材料例如胺衍生物，但不限于此。在光电器件100中，当光从第一电极10或第二电极20进入且有机层30中的活性层吸收在预定的和或替代地期望的波长区域中的光时，可从内部产生激子。所述激子在活性层中分离成空穴和电子，并且分离的空穴被传输到作为第一电极10和第二电极20之一的阳极且分离的电子被传输到作为第一电极10和第二电极20的另一个的阴极以使电流流动。光电器件100可应用于太阳能电池、图像传感器、光电探测器、光电传感器、和有机发光二极管OLED，但不限于此。所述光电器件可例如应用于图像传感器。在下文中，参照附图描述包括所述光电器件的图像传感器的实例。作为图像传感器的实例，描述有机CMOS图像传感器。图2为根据一种实施方式的有机CMOS图像传感器的示意性顶部俯视图且图3为显示图2的有机CMOS图像传感器的实例的横截面图。参照图2和3，根据一种实例实施方式的有机CMOS图像传感器300包括集成有光感测器件50a和50b、传输晶体管未示出和电荷存储器55的半导体基板110，下部绝缘层60，滤色器层70，上部绝缘层80，和光电器件100。半导体基板110可为硅基板，且集成有光感测器件50a和50b、传输晶体管未示出、和电荷存储器55。光感测器件50a和50b可为光电二极管。光感测器件50a和50b、所述传输晶体管、和或电荷存储器55可集成在每个像素中，且如所述图中所示，光感测器件50a和50b可分别包括在蓝色像素和红色像素中且电荷存储器55可包括在绿色像素中。光感测器件50a和50b感测光，通过所述光感测器件感测的信息可通过所述传输晶体管传输，电荷存储器55电连接至稍后将描述的光电器件100，且电荷存储器55的信息可通过所述传输晶体管传输。金属线未示出和焊盘垫未示出形成于半导体基板110上。为了减少信号延迟，所述金属线和焊盘可由具有低的电阻率的金属例如铝Al、铜Cu、银Ag、及其合金制成，但不限于此。此外，其不限于所述结构，且所述金属线和焊盘可设置在光感测器件50a和50b下面。下部绝缘层60形成于所述金属线和焊盘上。下部绝缘层60可由无机绝缘材料例如氧化硅和或碳化硅，或者低介电常数低K材料例如SiC、SiCOH、SiCO、和SiOF制成。下部绝缘层60具有使电荷存储器55暴露的沟槽。所述沟槽可填充有填料。滤色器层70形成于下部绝缘层60上。滤色器层70包括在蓝色像素中形成的蓝色过滤器70a和在红色像素中形成的红色过滤器70b。在本实施方式中，不包括绿色过滤器，但是可进一步包括绿色过滤器。上部绝缘层80形成于滤色器层70上。上部绝缘层80消除由滤色器层70引起的台阶并且使表面平滑。上部绝缘层80和下部绝缘层60可包括使焊盘暴露的接触孔未示出、和使绿色像素的电荷存储器55暴露的通孔85。光电器件100形成于上部绝缘层80上。如上所述，光电器件100包括第一电极10、有机层30、和第二电极20。在所述图中，第一电极10、有机层30、和第二电极20顺序地堆叠，但本公开内容不限于此，且例如它们可以第二电极20、有机层30、和第一电极10的顺序堆叠。第一电极10和第二电极20可全部为光透射性电极且有机层30与以上描述的相同。有机层30可例如选择性地吸收在绿色波长区域中的光且可代替绿色像素的滤色器。从第二电极20进入的光的绿色波长区域中的光主要被有机层30吸收且被光电转换，且剩余波长区域中的光被透射传输通过第一电极10且被光感测器件50a和50b感测。可进一步在光电器件100上形成聚焦透镜未示出。所述聚焦透镜可控制入射光的方向并且将光聚集在一个区域中。所述聚焦透镜可具有例如圆柱体或半球体的形状，但不限于此。如上所述，光电器件100具有堆叠结构，由此图像传感器的尺寸可减小以实现小型化的图像传感器。另外，所述有机层包括如上所述的具有朝着短波长偏移的光学吸收特性的富勒烯衍生物且因此与包括未取代的C60富勒烯的有机层相比可增加波长选择性。选择性地吸收在绿色波长区域中的光的光电器件被例如堆叠，但本公开内容不限于此。例如，选择性地吸收在蓝色波长区域的光的光电器件可被堆叠且绿色光感测器件和红色光感测器件可集成在半导体基板110中，或者选择性地吸收在红色波长区域中的光的光电器件可被堆叠且绿色光感测器件和蓝色光感测器件可集成在半导体基板110中。图4为显示所述有机CMOS图像传感器的另一实例的横截面图。像以上实施方式一样，根据本实施方式的有机CMOS图像传感器400包括集成有光感测器件50a和50b、传输晶体管未示出、和电荷存储器55的半导体基板110，具有通孔85的上部绝缘层80，和光电器件100。然而，不同于以上实施方式，在根据本实施方式的CMOS图像传感器400中，光感测器件50a和50b在竖直方向上堆叠，且省略滤色器层70。光感测器件50a和50b电连接至电荷存储器未示出且其信息可通过传输晶体管传输。光感测器件50a和50b可取决于堆叠深度而选择性地吸收在各波长区域中的光。可在光电器件100上进一步形成聚焦透镜未示出。所述聚焦透镜可控制入射光的方向并且将光聚集在一个区域中。所述聚焦透镜可具有例如圆柱体或半球体的形状，但不限于此。如上所述，选择性地吸收在绿色波长区域中的光的光电器件被堆叠并且红色光感测器件和蓝色光感测器件被堆叠，且由此图像传感器的尺寸可减小以实现小型化的图像传感器。在图4中，选择性地吸收在绿色波长区域中的光的光电器件例如被堆叠，但本公开内容不限于此。例如，选择性地吸收在蓝色波长区域中的光的光电器件可被堆叠并且绿色光感测器件和红色光感测器件可堆叠和集成在半导体基板110中，或者选择性地吸收在红色波长区域中的光的光电器件可被堆叠且绿色光感测器件和蓝色光感测器件可堆叠和集成在半导体基板110中。图5为显示根据另一实施方式的有机CMOS图像传感器的示意性顶部俯视图且图6为图5的有机CMOS图像传感器的横截面图。根据本实施方式的有机CMOS图像传感器500包括堆叠的选择性地吸收在绿色波长区域中的光的光电器件、选择性地吸收在蓝色波长区域中的光的光电器件、和选择性地吸收在红色波长区域中的光的光电器件。根据本实施方式的有机CMOS图像传感器500包括半导体基板110、下部绝缘层60、中间绝缘层65、上部绝缘层80、第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c。半导体基板110可为硅基板，且集成有传输晶体管未示出以及电荷存储器55a、55b、和55c。金属线未示出和焊盘未示出形成于半导体基板110上且下部绝缘层60形成于所述金属线和焊盘上。第一光电器件100a形成于下部绝缘层60上。第一光电器件100a包括彼此面对的第一电极10a和第二电极20a以及设置在第一电极10a和第二电极20a之间的有机层30a。第一电极10a、第二电极20a、和有机层30a与以上对于第一电极10、第二电极20和有机层30描述的相同，并且有机层30a可选择性地吸收在红色、蓝色、和绿色的一个波长区域中的光。例如，第一光电器件100a可为红色光电器件。在所述图中，第一电极10a、有机层30a、和第二电极20a顺序地堆叠，但本公开内容不限于此，且例如它们可以第二电极20a、有机层30a、和第一电极10a的顺序堆叠。中间绝缘层65形成于第一光电器件100a上。第二光电器件100b形成于中间绝缘层65上。第二光电器件100b包括彼此面对的第一电极10b和第二电极20b以及设置在第一电极10b和第二电极20b之间的有机层30b。第一电极10b、第二电极20b、和有机层30b与以上对于第一电极10、第二电极20和有机层30描述的相同，并且有机层30b可选择性地吸收在红色、蓝色、和绿色的一个波长区域中的光。例如，第二光电器件100b可为蓝色光电器件。在所述图中，第一电极10b、有机层30b、和第二电极20b顺序地堆叠，但本公开内容不限于此，且例如它们可以第二电极20b、有机层30b、和第一电极10b的顺序堆叠。上部绝缘层80形成于第二光电器件100b上。下部绝缘层60、中间绝缘层65、和上部绝缘层80具有使电荷存储器55a、55b、和55c暴露的多个通孔。第三光电器件100c形成于上部绝缘层80上。第三光电器件100c包括彼此面对的第一电极10c和第二电极20c以及设置在第一电极10c和第二电极20c之间的有机层30c。第一电极10c、第二电极20c、和有机层30c与以上对于第一电极10、第二电极20和有机层30描述的相同，并且有机层30c可选择性地吸收在红色、蓝色、和绿色的一个波长区域中的光。例如，第三光电器件100c可为绿色光电器件。在所述图中，第一电极10c、有机层30c、和第二电极20c顺序地堆叠，但本公开内容不限于此，且例如它们可以第二电极20c、有机层30c、和第一电极10c的顺序堆叠。可在光电器件100c上进一步形成聚焦透镜未示出。所述聚焦透镜可控制入射光的方向并且将光聚集在一个区域中。所述聚焦透镜可具有例如圆柱体或半球体的形状，但不限于此。在所述图中，第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c顺序地堆叠，但本公开内容不限于此，且它们可以多种顺序堆叠。如上所述，吸收在不同的波长区域中的光的第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c被堆叠，且由此图像传感器的尺寸可减小以实现小型化的图像传感器。所述图像传感器可应用于例如多种电子设备例如移动电话或数码相机，但不限于此。在下文中，参照实施例更详细地说明实施方式。然而，这些实施例是非限制性的，且本发明的范围不限于此。合成实施例合成实施例1[化学式1aa]在氮气气氛下将0.1g的N-甲苯磺酰基[1,2]氮丙啶基[60]富勒烯C60NTs和0.03g的1.5当量2,4-二-叔丁基苯酚添加到11ml的1,2-二氯苯ODCB，并且将混合物在室温下搅拌10分钟。随后，向其添加1μl的三氟甲烷磺酸TfOH，并且将所获得的混合物在100℃下搅拌12小时。将所得物冷却至室温，然后，通过硅胶柱层析法溶剂：CS2纯化并浓缩。然后，将所获得的产物溶解在甲苯中，并且将其中的产物用再循环HPLC溶剂：甲苯，柱子：Buckyprep分离以获得0.05g的由化学式1aa表示的化合物。产率为53％。1HNMR500MHz，CS2CDCl3＝73：δ7.71s，1H，7.45s，1H，1.70s，9H，1.35s，9H。合成实施例2[化学式1ab]根据与合成实施例1相同的方法合成0.05g的由化学式1ab表示的化合物，除了如下之外：使用0.03g的3,5-二叔丁基苯酚代替0.03g的2,4-二叔丁基苯酚。产率为55％。1HNMR500MHz，CS2CDCl3＝73:δ7.97s，1H，7.75s，1H，7.43-7.49m，2H，7.42d，1H，6.88d，1H。1HNMR500MHz，CS2CDCl3＝73:δ7.38s，1H，6.88s，1H，1.70s，9H，1.35s，9H。合成实施例3[化学式1ac]根据与合成实施例1相同的方法合成0.05g的由化学式1ac表示的化合物，除了如下之外：使用0.03g的2,5-二叔丁基苯酚代替0.03g的2,4-二叔丁基苯酚。产率为57％。1HNMR500MHz，CS2CDCl3＝73:δ7.56d，1H，7.25d，1H，1.70s，9H，1.35s，9H。合成实施例4[化学式1ad]根据与合成实施例1相同的方法合成0.03g的由化学式1ad表示的化合物，除了如下之外：使用0.03g的1-萘酚代替0.03g的2,4-二叔丁基苯酚。产率为30％。1HNMR500MHz，CS2CDCl3＝73:δ8.38d，1H，7.97d，1H，7.89d，1H，7.69d，1H，7.63dd，2H。合成实施例5[化学式1ae]根据与合成实施例1相同的方法合成0.03g的由化学式1ae表示的化合物，除了如下之外：使用0.03g的4-甲基-1-萘酚代替0.03g的2,4-二叔丁基苯酚。产率为30％。1HNMR500MHz，CS2CDCl3＝73:δ8.38d，1H，7.89s，1H，7.69d，1H，7.63dd，2H，2.55s，3H。合成对比例1[化学式A]通过使用0.20g的氯代富勒烯C60Cl6参照Org.Biomol.Chem.,2003,1,1764-1768和J.Mater.Chem.A,2017,5,2774-2783的合成方法合成0.03g的由化学式A表示的化合物。产率为23％。1HNMR的数据与在Org.Biomol.Chem.,2003,1,1764-1768中描述的那些完全对应一致。合成对比例2[化学式B]根据与合成实施例1相同的方法合成0.05g的由化学式B表示的化合物，除了如下之外：使用0.20g的4-甲基苯酚代替0.03g的2,4-二叔丁基苯酚。产率为53％。1HNMR的数据与在J.Mater.Chem.A,2017,5,2774-2783中描述的那些完全对应。合成对比例3[化学式C]根据与合成实施例1相同的方法合成0.05g的由化学式C表示的化合物，除了如下之外：使用0.03g的4-叔丁基苯酚代替0.03g的2,4-二叔丁基苯酚。产率为45％。1HNMR的数据与在J.Am.Chem.Soc.2011,133,2402-2405中描述的那些完全对应。合成对比例4[化学式D]根据与合成实施例1相同的方法合成0.03g的由化学式D表示的化合物，除了如下之外：使用0.03g的4-丁基苯胺代替0.03g的2,4-二叔丁基苯酚和将混合物在100℃下搅拌48小时。产率为37％。1HNMR的数据与在J.Am.Chem.Soc.2011,133,2402-2405中描述的那些完全对应。合成对比例5[化学式E]购买由化学式E表示的化合物商品名：NANOMSPECTRAE102，FrontierCarbonCorporation。合成对比例6[化学式F]购买由化学式F表示的化合物商品名：nanomspectraQ100，FrontierCarbonCorporation。合成对比例7[化学式G]根据与在J.Am.Chem.Soc.133,80862011中描述的相同的方法通过使用0.3g的富勒烯C60在氮气气氛下合成0.2g的由化学式G表示的化合物。分离后的产率为64％。1HNMR的数据与在J.Am.Chem.Soc.133,80862011中描述的那些完全对应。合成对比例8[化学式H]根据与在J.Org.Chem.58,47991993中描述的方法相同的方法通过使用0.3g的富勒烯C60在氮气气氛下合成0.2g的由化学式H表示的化合物。总的产率为55％。1HNMR的数据与在J.Org.Chem.58,47991993中描述的那些完全对应。合成对比例9[化学式I]通过如下获得0.2g的由化学式I表示的化合物：通过使用Deoxo-Fluor即常用的脱氧氟化试剂将0.2g的由化学式H表示的化合物中的羟基用氟代替。总的产率为47％。1HNMR500MHz，CS2CDCl3＝21:δ2.71H，3.31H，3.41H，3.61H，3.71H，3.81H，5.21H参考例C60富勒烯[化学式K]购买由化学式K表示的化合物商品名：NanomPurpleST，FrontierCarbonCorporation。评价评价I分别评价根据合成实施例1至5和合成对比例1至9的富勒烯衍生物、和根据参考例的富勒烯的通过升华的真空沉积。使用在高真空0.1-1.0Pa下的热重分析TGA分析所有的材料。该设备称作真空TGA。将样品约5mg添加到铂坩埚，并且将其放置到所述设备。然后将所述设备抽真空至小于或等于1Pa，例如0.1Pa。分析在室温下开始，并且以10℃分钟的速率达到设定温度最高温度为800℃。在该系统中判断-10％重量损失和-50％重量损失。在使用真空TGA的分析之后，参照该温度，设置在升华设备中的温度。通过如下进行所述评价：在所述升华设备中在小于或等于1Pa的真空度的高真空下升高温度以判断是否升华，且这里，在小于500℃的温度Ts下具有50重量％损失的化合物被判断为具有能升华的结构。在表1中，能升华的化合物被标记为“O”，但是不能升华的化合物被标记为“X”。表1**Ts℃-10重量％：其中样品具有10重量％重量损失的温度*Ts℃-50重量％：其中样品具有50重量％重量损失的温度参照表1，证实，根据合成实施例1至5的富勒烯衍生物和根据参考例的富勒烯是能通过升华而沉积的化合物。评价II将根据合成实施例和参考例的富勒烯衍生物或富勒烯分别沉积在玻璃基板上以形成薄膜，并且测量各获得的薄膜的能级。所述薄膜是在经干燥的已经用异丙醇IPA和丙酮在超声清洗机中清洁的玻璃基板上经由在高的真空下以的速率的热蒸发制造的。通过使用光电子能谱仪AC-3，RIKENKEIKICo.Ltd.测量所述薄膜的HOMO能级，所述薄膜的光学吸收边缘被称为能带隙，且通过从所述能带隙减去所述HOMO能级而获得LUMO能级。结果示于表2中。表2通过将所获得的能级与由化学式X表示的p型半导体以及由化学式Y表示的p型半导体的能级进行比较来研究所述富勒烯衍生物和富勒烯对于n型半导体是否是合乎需要的。[化学式X]HOMO能级：5.3eV，LUMO能级：3.2eV[化学式Y]HOMO能级：5.6eV，LUMO能级：3.5eV因此，根据合成实施例1至5的富勒烯衍生物和根据参考例的富勒烯具有比所述p型半导体的那些深的HOMO和LUMO能级且因此可在使用所述p型半导体时用作n型半导体。评价III评价通过分别将根据合成实施例1至5、合成对比例1和参考例的富勒烯衍生物或富勒烯沉积在玻璃基板上而形成的各薄膜的光吸收特性。所述薄膜是在经干燥的已经用异丙醇IPA和丙酮在超声清洗机中清洁的玻璃基板上经由在高的真空下以的速率的热蒸发制造的。通过如下评价所述光吸收特性：通过使用UV-Vis光谱仪VerianCary500Biospectrophotometer测量在紫外可见-近红外光区域中的波长的吸光度。结果示于表3和图7中。图7为显示根据合成实施例1至5以及参考例的富勒烯衍生物或富勒烯的光吸收特性的图。表3在450nm处的吸收系数105cm-1合成实施例10.24合成实施例20.28合成实施例30.26合成实施例40.34合成实施例50.32合成对比例10.42在取代基的分解之后C60升华参考例富勒烯0.55参照表3和图7，与包括根据参考例的富勒烯的薄膜或包括根据合成对比例1的富勒烯衍生物的薄膜相比，分别包括根据合成实施例1至5的富勒烯衍生物的薄膜显示出低的在约450nm蓝色波长区域处的消光系数。由所述结果，根据合成实施例1至5的富勒烯衍生物未显示出由于聚集所致的在可见光的短波长区域中的反常的光吸收特性。尽管已经关于目前被认为是实践性的实例实施方式的内容描述了本公开内容，但是将理解，本发明构思不限于所公开的实施方式，而是相反，意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种变型和等同布置。

权利要求：1.富勒烯衍生物，包括：由化学式1表示的取代基，[化学式1]其中，在化学式1中，Ar为C6-C30芳族环，X为O、S、Se、Te、SO、SO2、NRa、CRbRc、SiRdRe、或GeRfRg之一，R1-R3和Ra-Rg独立地为如下之一：氢、氘、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20杂烷基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C2-C20杂烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂环基团、卤素、氰基、或其组合，*为与富勒烯核的连接点，和条件是当Ar为苯环时，化学式1由化学式2表示，[化学式2]其中，在化学式2中，X和R1-R3与在化学式1中定义的相同，和R1-R3的至少两个独立地为取代或未取代的C3-C20支化烷基，在化学式1和2中，取决于Ar或苯环的能取代的位点，R3的数量为一个或两个或更多个。2.如权利要求1所述的富勒烯衍生物，其中所述富勒烯衍生物为能通过升华而真空沉积的化合物。3.如权利要求2所述的富勒烯衍生物，其中在1Pa或更小的压力下的热重分析时，所述富勒烯衍生物呈现出相对于初始重量的10％重量损失出现在小于或等于450℃的温度处，和所述富勒烯衍生物呈现出相对于所述初始重量的50％重量损失出现在小于500℃的温度处。4.如权利要求1所述的富勒烯衍生物，其中所述富勒烯衍生物具有3.7eV-5.0eV的LUMO能级，和所述富勒烯衍生物具有5.8eV-7.0eV的HOMO能级。5.如权利要求1所述的富勒烯衍生物，其中Ar为苯环或稠环。6.如权利要求5所述的富勒烯衍生物，其中Ar为苯环、萘环、蒽环、菲环、芘环、或苯并[9,10]菲环之一。7.如权利要求1所述的富勒烯衍生物，其中所述富勒烯核为C60、C70、C74、C76、或C78之一。8.如权利要求1所述的富勒烯衍生物，其中化学式2的R1-R3的至少两个独立地为异丙基、异丁基、异戊基、异己基、异庚基、异辛基、叔丁基、叔戊基、叔己基、新戊基、或新己基之一。9.如权利要求1所述的富勒烯衍生物，其中由化学式2表示的取代基由化学式3至8之一表示：其中，在化学式3至8中，R1和R2独立地为取代或未取代的C3-C20支化烷基，和X和R3与在权利要求1中定义的相同。10.如权利要求1所述的富勒烯衍生物，其中由化学式1表示的取代基由化学式1A至1F之一表示：其中在化学式1A至1F中，X和R1-R3与在权利要求1中定义的相同。11.薄膜，其包括：如权利要求1-10任一项所述的富勒烯衍生物。12.如权利要求11所述的薄膜，其中所述薄膜在450nm的波长处的消光系数小于包括未取代的C60富勒烯的薄膜在450nm的波长处的消光系数。13.如权利要求12所述的薄膜，其中所述薄膜在450nm的波长处的消光系数小于或等于所述包括未取代的C60富勒烯的薄膜在450nm的波长处的消光系数的12。14.光电器件，包括彼此面对的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括如权利要求1-10任一项所述的富勒烯衍生物。15.如权利要求14所述的光电器件，其中所述有机层包括活性层，所述活性层包括p型半导体和n型半导体，所述p型半导体和所述n型半导体形成pn结，和所述n型半导体包括所述富勒烯衍生物。16.图像传感器，包括：如权利要求14或15所述的光电器件。17.电子设备，包括：如权利要求14或15所述的光电器件或者如权利要求16所述的图像传感器。

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