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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种键合触点形成方法、键合结构及半导体器件，属于半导体领域。该键合触点形成方法包括提供一键合层。所述键合区域包括中央区域和边缘区域。在键合区域的表面沉积第二导电材料层，以形成覆盖层，所述第一导电材料层和第二导电材料层为不同的导电材料。将所述中央区域的部分覆盖层去除，暴露出第一导电材料层，以形成具有覆盖层的键合触点。本发明通过将键合区域中央区域的部分覆盖层去除，形成具有覆盖层的键合触点。能够解决铜扩散、时间依赖性击穿，以及电迁移等可靠性风险问题。由于键合点仍然是铜与铜之间的接触键合，从而能够避免接触点的电阻增加，也能够避免降低键合点之间的结合力。
主权项：1.一种键合触点形成方法，其特征在于，包括：提供一键合层，在所述键合层刻蚀出凹槽；在凹槽的内部和键合层表面的其余部分自下而上依次沉积金属化层和第一导电材料层；接着，将所述键合层进行研磨处理，以在键合层表面形成键合区域，所述键合区域包括中央区域和边缘区域；在键合区域的表面沉积第二导电材料层，以形成覆盖层，所述第一导电材料层和第二导电材料层采用不同的导电材料；将所述中央区域的部分覆盖层去除，暴露出所述第一导电材料层，以形成具有覆盖层的键合触点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 键合触点形成方法、键合结构及半导体器件
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