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申请/专利权人：成都华微电子科技股份有限公司

摘要：一种用于SARADC的差分电容阵列及开关方法，涉及集成电路技术领域，差分电容阵列的主要结构为：包括完全镜像的P端子电容阵列和N端子电容阵列，每个子电容阵列均包括高段电容组、高段镜像电容组、中段电容组、低段电容组；高段电容组和高段镜像电容组均由32C、16C、8C、4C、2C、冗余2C、复用1C、冗余1C电容组成；中段电容组由冗余8C、8C、4C、冗余4C、2C、1C、冗余1C电容组成；低段电容组为标准二进制电容序列。本发明还提供了使用上述差分电容阵列进行伪差分信号或真差分信号模数转换的开关方法。本发明在保证高转换速度和低功耗的同时，能有效提高采样信号输入范围，拓宽转换器的应用场景。

主权项：1.一种用于SARADC的差分电容阵列，其特征在于，包括完全镜像的P端子电容阵列和N端子电容阵列，每个子电容阵列均包括高段电容组、高段镜像电容组、中段电容组、低段电容组；所述高段电容组和高段镜像电容组均由32C、16C、8C、4C、2C、冗余2C、复用1C、冗余1C电容组成；其中：P端高段电容组除复用1C电容外的各电容上极板并联后接第一节点VDACP，P端高段镜像电容组除复用1C电容外的各电容上极板并联后接第二节点VDACP_1，P端高段电容组和P端高段镜像电容组各电容下极板分别通过单刀三掷采样开关择一地与参考电压REF、地电位GND和P端采样信号VINP相连；N端高段电容组除复用1C电容外的各电容上极板并联后接第三节点VDACN，P端高段镜像电容组除复用1C电容外的各电容上极板并联后接第四节点VDACN_1，N端高段电容组和N端高段镜像电容组各电容下极板分别通过单刀三掷采样开关择一地与参考电压REF、地电位GND和N端采样信号VINN相连；所述SARADC的比较器CMP正端通过一个第一单刀三掷开关S1择一地与第二开关S2的第二端、第一节点VDACP和共模电压VCM相连；P端高段镜像电容组中的复用1C电容上极板接第二开关S2的第一端和第四开关S4的第一端，第二节点VDACP_1还接第四开关S4的第二端和第三开关S3的第一端，第三开关S3的第二端接第一节点VDACP；P端高段电容组中的复用1C电容上极板接第二开关S2的第二端；所述SARADC的比较器CMP负端通过一个第一单刀三掷开关S1择一地与第二开关S2的第二端、第三节点VDACN和共模电压VCM相连；N端高段镜像电容组中的复用1C电容上极板接第二开关S2的第一端和第四开关S4的第一端，第四节点VDACN_1还接第四开关S4的第二端和第三开关S3的第一端，第三开关S3的第二端接第三节点VDACN；N端高段电容组中的复用1C电容上极板接第二开关S2的第二端；所述中段电容组由冗余8C、8C、4C、冗余4C、2C、1C、冗余1C电容组成；其中：P端中段电容组各电容上极板并联后通过一个第一桥接电容CH与第一节点VDACP相连、同时通过另一个第一桥接电容CH及第五单刀双掷开关S5择一地与第二节点VDACP_1和地电位GND相连；P端中段电容组除冗余1C外的各电容下极板分别通过单刀三掷采样开关择一地与参考电压REF、地电位GND和P端采样信号VINP相连，P端中段电容组中的冗余1C电容下极板接地电位GND；N端中段电容组各电容上极板并联后通过一个第一桥接电容CH与第三节点VDACN相连、同时通过另一个第一桥接电容CH及第五单刀双掷开关S5择一地与第四节点VDACN_1和地电位GND相连；N端中段电容组除冗余1C外的各电容下极板分别通过单刀三掷采样开关择一地与参考电压REF、地电位GND和N端采样信号VINN相连，N端中段电容组中的冗余1C电容下极板接地电位GND；所述低段电容组为标准二进制电容序列；其中：P端低段电容组各电容上极板并联后通过一个第二桥接电容CL与P端中段电容组上极板相连、各电容下极板分别通过单刀双掷开关择一地与参考电压REF、地电位GND相连；N端低段电容组各电容上极板并联后通过一个第二桥接电容CL与N端中段电容组上极板相连、各电容下极板分别通过单刀双掷开关择一地与参考电压REF、地电位GND相连。

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