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申请/专利权人：中山大学南昌研究院
摘要：本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术领域，具体涉及一种减少曝光累积误差的方法，包括如下步骤：1在晶圆片的正面刻蚀刻度；2在晶圆片的正面形成标记，首次曝光后记录标记的实际位置坐标X1，Y1与理论值坐标X0，Y0进行比对，并计算相应的差值X1‑X0，Y1‑Y0；3针对上述差值，在第二次曝光时进行相应的补偿，从而减少每次的累积误差。本发明通过在晶圆片的平边制备一个刻度用于多次曝光位置的调整，减少曝光制程多次累积误差；明显减少曝光制程累积误差，提升产品品质。
主权项：1.一种减少曝光累积误差的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在晶圆片的正面刻蚀刻度；在晶圆片的正面刻蚀刻度的工艺，包括如下程序：S1.在晶圆片的表面均匀涂布光刻胶；S2.采用直写式曝光机在晶圆片的表面形成刻度，用于标定；S3.预烘后进行显影；S4.采用蒸发镀膜机在晶圆片的表面沉积金属；S5.湿法去除晶圆片表面的光刻胶；S6.湿法去除晶圆片的表面沉积的金属；（2）在晶圆片的正面形成标记，首次曝光后记录标记的实际位置坐标（X1，Y1）与理论值坐标（X0，Y0）进行比对，并计算相应的差值（X1-X0，Y1-Y0）；（3）针对上述差值，在第二次曝光时进行相应的补偿，从而减少每次的累积误差；（4）在晶圆片的反面刻蚀刻度；（5）在晶圆片的反面形成标记；所述晶圆片反面的刻度和标记用于晶圆键合和划片时无法读取正面图形的情况下，通过读取反面图形进行判读和校准，从而减少叠加误差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学南昌研究院 一种减少曝光累积误差的方法
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