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申请/专利权人：成都莱普科技股份有限公司

摘要：本发明的实施例提供一种应用于激光退火系统的温度控制方法和激光退火系统，涉及激光退火领域。该方法中，在二氧化碳激光器开启且近红外预热激光器关闭时，利用硅基温度检测模块检测晶圆表面的温度，并生成指示晶圆表面的温度的第一温度信号；利用温度控制模块根据第一温度信号和第一预设温度值控制二氧化碳激光器产生第一目标功率的激光；在二氧化碳激光器和近红外预热激光器均开启时，利用固体半导体检测器通过焦距可调倍镜检测晶圆表面的温度，并生成指示晶圆表面的温度的第二温度信号；利用温度控制模块根据第二温度信号和第二预设温度值控制激光器组产生第二目标功率的激光；以及，根据第二目标功率设置焦距可调倍镜的放大倍数。

主权项：1.一种应用于激光退火系统的温度控制方法，其特征在于，所述激光退火系统包括：激光器组、硅基温度检测模块、固体半导体温度检测模块和温度控制模块；其中，所述激光器组包括近红外预热激光器、二氧化碳激光器，所述固体半导体温度检测模块包括焦距可调倍镜和固体半导体检测器，所述焦距可调倍镜用于对晶圆表面反射的光线进行聚焦，并将聚焦后的光线向所述固体半导体检测器照射，所述光线包括激光；其中，所述应用于激光退火系统的温度控制方法包括如下步骤：在所述二氧化碳激光器开启且所述近红外预热激光器关闭时，利用所述硅基温度检测模块检测所述晶圆表面的温度，并生成指示所述晶圆表面的温度的第一温度信号；利用所述温度控制模块根据所述第一温度信号和第一预设温度值对所述二氧化碳激光器进行控制，以使所述二氧化碳激光器产生第一目标功率的激光；其中，所述第一目标功率的激光用于对所述晶圆进行退火，并且使得所述晶圆表面的温度与所述第一预设温度值匹配；在所述二氧化碳激光器和所述近红外预热激光器均开启时，利用所述固体半导体检测器通过所述焦距可调倍镜检测所述晶圆表面的温度，并生成指示所述晶圆表面的温度的第二温度信号；利用所述温度控制模块根据所述第二温度信号和第二预设温度值对所述激光器组进行控制，以使所述激光器组产生第二目标功率的激光；其中，所述第二目标功率的激光用于对所述晶圆进行退火，并且使得所述晶圆表面的温度与所述第二预设温度值匹配；以及，根据所述第二目标功率设置所述焦距可调倍镜的放大倍数。

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